[发明专利]正装结构的高压直流或交流芯片

权利要求书

1.一种正装结构的高压直流或交流芯片，包括：

生长衬底：所述的生长衬底包括，硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、砷化镓衬底、石墨衬底、玻璃衬底、氮化铝衬底、氧化铝衬底、氮化铝陶瓷衬底；

多个单元半导体外延薄膜：所述的单元半导体外延薄膜形成在所述的生长衬底上；所述的单元半导体外延薄膜包括：依次形成在所述的生长衬底上的n-类型限制层、活化层和p-类型限制层；每个所述的单元半导体外延薄膜和其下面的生长衬底形成单元芯片；

在预定的位置，所述的单元半导体外延薄膜的部分所述的n-类型限制层暴露；

相邻的所述的单元半导体外延薄膜之间，所述的生长衬底暴露；钝化层：所述的钝化层层叠在所述的每个单元半导体外延薄膜以及相邻的所述的单元半导体外延薄膜之间的暴露的生长衬底上；所述的钝化层在所述的单元半导体外延薄膜的p-类型限制层的上方的预定的位置上具有窗口，所述的p-类型限制层在所述的窗口中暴露；所述的钝化层在所述的单元半导体外延薄膜的暴露的n-类型限制层的上方的预定的位置上具有窗口，所述的n-类型限制层在所述的窗口中暴露；透明电极：所述的透明电极包括至少一个p-透明电极和至少一个连接透明电极；

所述的p-透明电极通过所述的钝化层在所述的p-类型限制层上方的窗口，层叠在所述的p-类型限制层上；

所述的连接透明电极把一个芯片上的所述的单元芯片连接成为一个正装结构的高压直流或交流芯片。

2.根据权利要求2的正装结构的高压直流或交流芯片，其特征在于，所述的连接透明电极通过所述的钝化层在一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的p-类型限制层上方的窗口和相邻的另一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的暴露的n-类型限制层的上方的窗口，层叠在一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的p-类型限制层和相邻的另一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的暴露的n-类型限制层以及所述的p-类型限制层上方的窗口和相邻的另一个所述的单元半导体外延薄膜的所述的暴露的n-类型限制层的上方的窗口之间的钝化层上，形成所述的连接透明电极，使得一个所述的单元半导体外延薄膜的p-类型限制层通过所述的连接透明电极与相邻的另一个所述的单元半导体外延薄膜的n-类型限制层形成串联电联接；全部所述的单元芯片以串联方式连接，形成正装结构的高压直流芯片。

3.根据权利要求1的正装结构的高压直流或交流芯片，其特征在于，所述的连接透明电极把全部所述的单元芯片以整流桥的方式连接或者以串联和并联混合的方式连接，形成正装结构的交流芯片；其中，所述的整流桥包括至少两个节点，在所述的节点，所述的连接透明电极把两个所述的单元半导体外延薄膜的相同类型的限制层和另一个单元半导体外延薄膜的不同类型的限制层连接，形成整流桥式电连接。

4.根据权利要求1的正装结构的高压直流或交流芯片，其特征在于，所述的正装结构的高压直流或交流芯片包括至少一个n-透明电极，n-透明电极通过所述的钝化层在所述的暴露的n-类型限制层的上方的窗口，层叠在所述的暴露的n-类型限制层上。

5.根据权利要求1的正装结构的高压直流或交流芯片，其特征在于，所述的单元半导体外延薄膜的材料是从一组材料中选出，该组材料包括：(1)氮化镓基材料；所述的氮化镓基材料包括，GaN，AlGaN，GaInN，AlGaInN；(2)磷化镓基材料；所述的磷化镓基材料包括，GaP，AlGaP，GaInP，AlGaInP；(3)氮磷镓基材料；所述的氮磷镓材料包括，GaNP，AlGaNP，GaInNP，AlGaInNP；(4)氧化锌基材料，包括，ZnO。

6.根据权利要求1的正装结构的高压直流或交流芯片，其特征在于，所述的透明电极具有单层或多层结构。

7.根据权利要求8的正装结构的高压直流或交流芯片，其特征在于，所述的具有单层或多层结构的透明电极的每一层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，导电氧化物材料、金属材料、银纳米线、碳纳米管、石墨烯；所述的导电氧化物材料包括：ITO，IZO，CTO，ZnO:Al，AuAlO2，LaCuOS，CuGaO，SrCuO2，ZnGa2O4，SnO2:Sb，Ga2O3:Sn，In2O3:Zn，NiO，MnO，CuO，SnO，GaO，FTO；所述的金属材料包括：Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co，Pd/Au，Pt/Au，Ti/Au，Cr/Au，Sn/Au，Zr，Hf，V，Nb。