[发明专利]一种反铁电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种反铁电薄膜的制备方法，其特征是：包括如下步骤：

采用镀铂硅片，所述的镀铂硅片由硅片层、中间层和厚度为纳米级的铂薄膜层组成，所述的中间层是二氧化硅层，或是由二氧化硅层与钛层组成的复合层；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液，使镀铂硅片的中间层与腐蚀溶液反应被刻蚀，铂薄膜从硅片上脱离而漂浮在溶液表面；然后，将铂薄膜转移到盛有去离子水的器皿中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上，干燥铂薄膜；最后，在铂薄膜上沉积反铁电薄膜。

2.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的反铁电材料包括锆酸铅，以及由钛、镧、锡、铌、锶、镁中的一种、两种或三种元素掺杂的锆酸铅。

3.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的腐蚀溶液为氢氟酸溶液或浓硫酸的双氧水溶液中的一种。

4.根据权利要求3所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的氢氟酸溶液的浓度为3%～40%。

5.根据权利要求3所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的浓硫酸和双氧水的体积比为19:1～1:2。

6.根据权利要求3所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的浓硫酸的双氧水溶液的温度为40～90℃。

7.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的中间层与腐蚀溶液的反应时间为4～12h。

8.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的耐高温衬底为镀铂硅片、硅片、石英玻璃或石墨烯纸。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的铂薄膜是由转移基片转移到盛有去离子水的器皿中，所述的转移基片为镀铂硅片、硅片或石墨烯纸。

10.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：采用脉冲激光沉积、溅射法、分子束外延、化学气相沉积方法在铂薄膜上沉积反铁电薄膜。