[发明专利]一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法。

背景技术

磷化铟单晶片是重要的化合物半导体材料，具有闪锌矿结构。与砷化镓（GaAs）材料相比，它具有电子极限漂移速度高、耐辐射性能好、热导率高、击穿电场高等特点。磷化铟器件的工作频率极限比GaAs器件高出一倍，有更大的输出功率和更好的噪声特性，抗辐射性能比GaAs和硅(Si)材料等更为优越。因此，磷化铟单晶材料在微波、毫米波电路及高速数字集成电路的制备中是首选的衬底材料。

随着磷化铟单晶材料成功地用于微波、毫米波器件，人们开始更多的关注磷化铟单晶片的加工技术。近几年来，国家投入了相当的资金，用于磷化铟单晶片衬底材料的研制。化学腐蚀是磷化铟单晶片加工中非常重要的一步，它的主要作用是去除切、磨等加工过程在磷化铟单晶片表面造成的机械损伤。该工艺对于保证磷化铟单晶片加工的各项几何参数和最终获得重复、稳定的抛光镜面有着直接的关系。

但是现有的处理方法不能很好的去除切、磨等加工过程在磷化铟单晶片表面所产生的机械损伤。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法，用以解决现有技术中不能很好的去除切、磨等加工过程在磷化铟单晶片表面产生的机械损伤的问题。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；

以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。

优选地，以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为5：2：1.5。

本发明提供一种磷化铟单晶片的腐蚀方法包括以下步骤：

将硫酸、双氧水、水按照硫酸：双氧水：水=（4-6）：（1-3）：（1-2）的配比配制腐蚀液；

当腐蚀液达到60-75度的腐蚀温度时，将所述磷化铟单晶片放入所述腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为2-6分钟；

将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗。

优选地，所述磷化铟单晶片放在夹具上，然后再对所述磷化铟单晶片进行腐蚀。

优选地，所述腐蚀液在采用石英材料制成的容器内进行混合。

优选地，所述腐蚀温度为65-70度。

优选地，所述腐蚀液的配制步骤如下：

将水和双氧水倒入所述容器中，并搅拌均匀；

将硫酸缓慢倒入所述容器中，并不断搅拌；

将配制好的腐蚀液自然冷却。

优选地，将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗的步骤之后，进一步包括对清洗后的所述磷化铟单晶片进行干燥。

优选地，在腐蚀过程中不断的摇动所述夹具。

优选地，所述腐蚀时间为3-5分钟。

优选地，在腐蚀液自然冷却过程中，对所述腐蚀液进行搅拌。

本发明有益效果如下：

1.本发明的一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液的原料采用硫酸、双氧水、水作为腐蚀液，其中硫酸、双氧水、水按照硫酸：双氧水：水=（4-6）：（1-3）：（1-2）的配比配制腐蚀液，并在60-75度的腐蚀温度时对磷化铟单晶片进行腐蚀，腐蚀时间为2-6分钟，腐蚀完后将磷化铟单晶片放入去离子水中清洗。该方法处理后的磷化铟单晶片，能够很好地去除切、磨等加工过程在磷化铟单晶片表面造成机械损伤。

2.采用本发明的磷化铟单晶片的腐蚀液对磷化铟单晶片进行处理后，磷化铟单晶片的表面光洁度好，而且本发明的磷化铟单晶片的腐蚀方法的工艺简单，腐蚀速率高。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本发明一个实施例的磷化铟单晶片的腐蚀方法；

图2为本发明另一个实施例的磷化铟单晶片的腐蚀方法。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。

实施例1

本发明实施例提供了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；

以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水、所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。

实施例2