[发明专利]铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜、制备方法及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。

背景技术

薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的薄膜，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，仍未见报道。

发明内容

基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜、其制备方法该铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜电致发光器件及其制备方法。

一种铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，其化学式为Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子，Re₂(MoO₄)₃是基质，铈元素是激活元素。

在优选的实施例中，铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的厚度为80nm~300nm。

一种铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa~1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃~650℃，转速为50转/分钟~1000转/分钟，采用氩气气流的载体，根据Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺各元素的化学计量比将(四甲基庚二酸三族金属盐、六羰基钼和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内，及

然后通入氧气，进行化学气相沉积得到铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜其化学式为Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。

在优选的实施例中四甲基庚二酸三族金属盐、六羰基钼和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈摩尔比为(1.95~1.99)：3：（0.01~0.05）;

在更优选的实施例中，四甲基庚二酸三族金属盐、六羰基钼和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈摩尔比为1.97：3：0.03；

在优选实施例中，氩气气流量为5~15sccm，氧气气流量为10sccm~200sccm。

一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，该铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的化学式为Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。

一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，该铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的化学式为Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺，其中,0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子；

在所述发光层上形成阴极。

在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤：

将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa~1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃~650℃，转速为50转/分钟~1000转/分钟，采用氩气气流的载体，根据Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺各元素的化学计量比将四甲基庚二酸三族金属盐、六羰基钼和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内，其中，氩气气流量为5~15sccm，及