[发明专利]具有成环连接的霍尔效应区的电子器件有效
申请号: | 201210257072.5 | 申请日: | 2012-07-23 |
公开(公告)号: | CN102889952A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 乌多·奥塞尔勒基纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G01L1/12 | 分类号: | G01L1/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有成 连接 霍尔 效应 电子器件 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及一种电子器件和检测方法。具体地,该电子器件可以是用于检测诸如磁场或物体内部机械应力的物理量的传感器件。
背景技术
电子器件可用于检测或测量物理量。为检测或测量平行于例如半导体芯片表面的磁场强度和方向,可使用垂直霍尔器件。大多数垂直霍尔器件遭受着这样的事实:用于消除霍尔器件的零点误差的旋转电流(spinning current)法不能很好地工作。采用旋转电流方案(spinning current scheme)的已知方法,可以获得约1mT的零点残余误差。这种相当差的偏移行为的原因可在垂直霍尔器件的不对称性中找到。尽管知道如何连接四个垂直霍尔器件来改善对称性,但接触电阻仍会导致残余不对称性。
可检测或测量的另一物理量是物体(诸如衬底,具体地,半导体衬底)内部的机械应力。为此,可使用具有与霍尔器件类似的结构的电子器件。事实上,可足以稍微修改合适的霍尔器件的一些内部连接来获得机械应力传感器。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种电子器件,包括n个霍尔效应区,其中n>1,其中,该n个霍尔效应区彼此隔离。该电子器件包括在n个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接触。该接触包括各霍尔效应区的第一接触和第二接触。对于k=1至n-1,第(k+1)个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触,且第一霍尔效应区的第一接触连接至第n个霍尔效应区的第二接触。该至少八个接触包括至少两个供电接触(supply contact)和至少两个检测接触(sense contact)。各霍尔效应区包括该至少两个供电接触中的至多一个。此外,各霍尔效应区包括该至少两个检测接触中的至多一个。
本发明的其他实施方式提供了一种电子器件,包括:如上述定义的第一电子器件和第二电子器件;传感信号(sense signal)评估器,其被配置为连接至第一电子器件的检测接触和第二电子器件的检测接触。该传感信号评估器还被配置为处理差分传感信号,该差分传感信号基于检测接触处提供的第一传感信号和第二传感信号。
本发明的其他实施方式提供了一种电子器件,包括:彼此隔离的第一霍尔效应区、第二霍尔效应区、第三霍尔效应区和第四霍尔效应区。各霍尔效应区包括在霍尔效应区的表面内或表面上的第一接触、第二接触、供电接触和检测接触。第二霍尔效应区的第一接触连接至第一霍尔效应区的第二接触,以及第一霍尔效应区的第一接触连接至第二霍尔效应区的第二接触,使得在第一霍尔效应区的供电接触与第二霍尔效应区的供电接触之间存在两个电流通路。第四霍尔效应区的第一接触连接至第三霍尔效应区的第二接触,以及第三霍尔效应区的第一接触连接至第四霍尔效应区的第二接触,使得在第三霍尔效应区的供电接触与第四霍尔效应区的供电接触之间存在两个电流通路。供电接触和检测接触沿着电流通路中的每一个顺序布置,使得在供电接触中的两个之间有检测接触中的一个检测接触。第一霍尔效应区与第三霍尔效应区的检测接触之间分接第一差分传感信号,以及第二霍尔效应区与第四霍尔效应区的检测接触之间分接第二差分传感信号。
本发明的其他实施方式提供了一种电子器件,包括:彼此隔离的四个霍尔效应区,其中,四个霍尔效应区中的每一个包括在霍尔效应区的表面内或表面上的第一接触和第二接触。对于k=1至3,第(k+1)个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触,且第一霍尔效应区的第一接触连接至第四霍尔效应区的第二接触。四个霍尔效应区中的每一个还包括在霍尔效应区的表面内或表面上的供电接触和检测接触中的一个,供电接触或检测接触被配置在霍尔效应区的第一接触与第二接触之间。表面内或表面上形成供电接触的霍尔效应区经由其第一接触和第二接触分别连接至表面内或表面上形成检测接触的两个霍尔效应区,使得供电接触和检测接触沿着至少两个供电接触之间的电流通路被顺序配置,以便至少两个供电接触之间有一个检测接触。各霍尔效应区包括至少两个供电接触中的最多一个。
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