[发明专利]具有成环连接的霍尔效应区的电子器件有效

专利信息
申请号: 201210257072.5 申请日: 2012-07-23
公开(公告)号: CN102889952A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 乌多·奥塞尔勒基纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01L1/12 分类号: G01L1/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 有成 连接 霍尔 效应 电子器件
【权利要求书】:

1.一种电子器件,包括:

整数n个霍尔效应区,其中n>1,其中,所述n个霍尔效应区彼此隔离;

其中,所述电子器件包括在所述n个霍尔效应区的表面内或表面上的至少八个接触,其中,所述接触包括各个霍尔效应区的第一接触和第二接触;

其中,对于k=1至n-1,第(k+1)个霍尔效应区的第一接触连接至第k个霍尔效应区的第二接触,且第一霍尔效应区的第一接触连接至第n个霍尔效应区的第二接触;

其中,所述至少八个接触包括至少两个供电接触和至少两个检测接触;

其中,各个霍尔效应区包括所述至少两个供电接触中的一个;以及

其中,各个霍尔效应区包括所述至少两个检测接触中的一个。

2.根据权利要求1所述的电子器件,其中,n=2,使得所述n个霍尔效应区包括第一霍尔效应区和第二霍尔效应区,

其中,所述至少两个供电接触中的一个形成在所述第一霍尔效应区的表面内或表面上,以及所述至少两个供电接触中的另一个形成在所述第二霍尔效应区的表面内或表面上,以及

其中,所述至少两个检测接触中的一个形成在所述第一霍尔效应区的表面内或表面上,以及所述至少两个检测接触中的另一个形成在所述第二霍尔效应区的表面内或表面上。

3.根据权利要求2所述的电子器件,其中,所述第一霍尔效应区包括第一端和第二端,以及其中,所述第二霍尔效应区包括第一端和第二端,

其中,所述第一霍尔效应区和所述第二霍尔效应区的所述第一接触和所述第二接触分别比所述至少两个供电接触和所述至少两个检测接触更接近所述第一霍尔效应区和所述第二霍尔效应区中的相应一个的所述第一端和所述第二端中的一个。

4.根据权利要求2所述的电子器件,其中,所述第一霍尔效应区和所述第二霍尔效应区各自包括第一端和第二端,且其中,所述第一霍尔效应区和所述第二霍尔效应区的所述第一接触和所述第二接触比所述供电接触和所述检测接触中的至少一个离所述第一霍尔效应区和所述第二霍尔效应区中的相应一个的所述第一端和所述第二端中的至少一个更远。

5.根据权利要求1所述的电子器件,其中,n=4,

其中,除相应的第一接触和第二接触之外,所述至少两个供电接触和所述至少两个检测接触形成在所述霍尔效应区的表面内或表面上,使得至少三个接触形成在各个霍尔效应区的表面内或表面上,以及

其中,其表面内或表面上形成有检测接触的霍尔效应区利用所述第一接触和所述第二接触电连接在其表面内或表面上形成有供电接触的两个霍尔效应区之间。

6.根据权利要求1所述的电子器件,其中,n=4,其中,所述至少两个供电接触中的每个供电接触与至少一个霍尔效应区的所述第一接触和所述第二接触中的至少一个重合,以及其中,所述至少两个检测接触中的每个检测接触与至少一个霍尔效应区的所述第一接触和所述第二接触中的至少一个重合。

7.根据权利要求1所述的电子器件,其中,所述至少两个供电接触和所述至少两个检测接触形成一组至少四个旋转电流接触,所述至少四个旋转电流接触中的每一个被配置为在旋转电流方案的第一操作阶段期间用作所述至少两个供电接触中的一个,以及在旋转电流方案的第二操作阶段期间用作所述至少两个检测接触中的一个,或相反。

8.根据权利要求1所述的电子器件,其中,所述电子器件关于至少一个中心平面对称。

9.根据权利要求1所述的电子器件,还包括至少一个浮接接触,所述浮接接触形成在所述霍尔效应区中的至少一个的表面内或表面上。

10.根据权利要求1所述的电子器件,其中,各个霍尔效应区包括第一端和第二端,以及其中,所述霍尔效应区中的至少两个并排放置,使得所述至少两个霍尔效应区中的一个的所述第一端邻近相邻霍尔效应区的所述第二端,且反之亦然。

11.根据权利要求1所述的电子器件,其中,所述霍尔效应区中的至少两个沿直线放置。

12.根据权利要求1所述的电子器件,其中,所述霍尔效应区中的至少两个相对于彼此成非零角放置。

13.根据权利要求1所述的电子器件,其中,所述霍尔效应区中的至少一个相对于至少一个其他霍尔效应区纵向和横向偏移。

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