[发明专利]一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种化学浴沉积纳米晶Cu₂O薄膜的制备方法，包括以下步骤：

a)在硫酸铜溶液中依次加入抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液，充分络合并定容；

b)向定容后的溶液中滴加NaOH溶液调节溶液的pH值并放入衬底；

c)将调整好pH值的溶液在特定温度下恒温反应一定时间后，取出冲洗干净后烘干。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔浓度比在1∶4～5∶6范围内。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中硫酸铜浓度控制在0.06mol/L～0.30mol/L。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中调整溶液pH值范围为7.0～10.0。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤c)中溶液的温度范围控制在50℃～95℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤c)反应时间控制在1.0h～3.0h。