[发明专利]非晶硅膜的成膜方法及成膜装置

权利要求书

1.一种非晶硅膜的成膜方法，其用于在基底上形成包括非晶硅膜的膜，其特征在于，

该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：

（1）加热上述基底，向上述加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在上述基底表面上形成晶种层；

（2）加热上述基底，向上述加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在上述晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；

（3）对形成为上述层成长的厚度的上述非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。

2.根据权利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

在上述（1）工序与（2）工序之间还包括以下工序：

（4）对形成有上述晶种层的基底进行加热，向上述晶种层的表面供给比在上述（2）工序中使用的硅烷类气体高级的硅烷类气体。

3.根据权利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述蚀刻为各向同性蚀刻。

4.根据权利要求3所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述各向同性蚀刻为干蚀刻。

5.根据权利要求4所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述干蚀刻的蚀刻剂至少含有Cl₂气体、F₂气体、ClF₃气体中的一种气体。

6.根据权利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

在同一处理室内连续进行上述（2）工序和上述（3）工序。

7.根据权利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述氨基硅烷类气体从含有BAS（丁基氨基硅烷）、BTBAS（双叔丁基氨基硅烷）、DMAS（二甲氨基硅烷）、BDMAS（双（二甲氨基）硅烷）、TDMAS（三（二甲氨基）硅烷）、DEAS（二乙基氨基硅烷）、BDEAS（双（二乙基氨基）硅烷）、DPAS（二丙基氨基硅烷）、DIPAS（二异丙基氨基硅烷）中至少一种的气体中进行选择，

上述不含氨基的硅烷类气体从含有用SiH₄、Si₂H₆、Si_mH_2m+2式表示的硅的氢化物及用Si_nH_2n式表示的硅的氢化物中至少一种的气体中进行选择，其中，m、n为3以上的自然数。

8.根据权利要求7所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述用Si_mH_2m+2式表示的硅的氢化物从丙硅烷（Si₃H₈）、丁硅烷（Si₄H₁₀）、戊硅烷（Si₅H₁₂）、己硅烷（Si₆H₁₄）、庚硅烷（Si₇H₁₆）中的至少一种硅烷中进行选择，其中，m为3以上的自然数，

上述用Si_nH_2n式表示的硅的氢化物从环丙硅烷（Si₃H₆）、环丁硅烷（Si₄H₈）、环戊硅烷（Si₅H₁₀）、环己硅烷（Si₆H₁₂）、环庚硅烷（Si₇H₁₄）中的至少任意一种硅烷中进行选择，其中，n为3以上的自然数。

9.根据权利要求1所述的非晶硅膜的成膜方法，其特征在于，

上述非晶硅膜的成膜方法用于半导体装置的制造工艺。

10.一种成膜装置，其用于在基底上形成非晶硅膜，其特征在于，

该非晶硅膜的成膜装置具有：处理室，其用于收容被处理体，该被处理体具有供上述非晶硅膜形成的基底；处理气体供给机构，其用于向上述处理室内供给处理所使用的气体；加热装置，其用于对收容在上述处理室内的上述被处理体进行加热；排气机构，其用于对上述处理室内进行排气；控制器，其用于控制上述处理气体供给机构、上述加热装置及上述排气机构，

上述控制器控制上述成膜装置，以便依次实施权利要求1所述的（1）工序、（2）工序及（3）工序。