[发明专利]一种直流升压电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种直流升压电路。

背景技术

目前，一般通过Boost电路（开关直流升压电路）实现直流-直流的升压变换，结构如图1所示。其中，在充电过程中，开关管Q’（三极管或者MOS管）导通，输入电压流过电感。二极管D’防止电容C’对地放电。由于输入电压V_in’是直流电，所以电感L’上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感L’里储存了一些能量;放电过程中，开关管Q’截止，由于电感L’的电流保持特性，流经电感L’的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，于是电感L’只能通过新电路放电，即开始给电容C’充电，电容C’两端电压升高，此时输出电压V_out’已经高于输入电压V_in’，升压完毕。但是，在升压时，很容易损坏部件，一旦某个部件损坏，只能停止运行。并且，二极管D’和开关管Q’都有相应的开关损耗，尤其是开关管Q’，制约着功率和效率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷而提供一种高功率和高效率的直流升压电路，它具有两套相互独立的升压电路，可以同时工作也可以轮流工作，并且在其中一套损坏的时候整体还能正常工作，延长了电路的使用时间。

实现上述目的的技术方案是：

一种直流升压电路，包括断路器、第一电感、第二电感、第一MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效晶体管）、第二MOSFET、第一二极管、第二二极管和电容，其中：

所述第一电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接所述第一二极管的正极和所述第一MOSFET的漏极；

所述第二电感的一端连接所述断路器并且通过该断路器接收输入电压，另一端分别连接所述第二二极管的正极和所述第二MOSFET的漏极；

所述电容的一端分别连接所述第一二极管的负极和所述第二二极管的负极，另一端分别连接所述第一MOSFET的源极和所述第二MOSFET的源极；

所述电容与第一二极管以及第二二极管的相接端输出输出电压；

所述电容与第一MOSFET以及第二MOSFET的相接端接地。

上述的直流升压电路，其中，所述第一MOSFET和第二MOSFET均为N型MOSFET。

本发明的有益效果是：本发明具有两套相互独立的升压电路，它们可以同时工作也可以轮流工作，实现高功率和高效率的直流电压升压。并且当其中一套损坏的时候整体还能正常工作，延长了电路的使用时间。同时本发明结构简单，易于实现。

附图说明

图1是现有的Boost电路的电路图；

图2是本发明的直流升压电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

请参阅图2，本发明的直流升压电路，包括断路器K、第一电感L1、第二电感L2、第一MOSFET Q1、第二MOSFET Q2、第一二极管D1、第二二极管D2和电容C，其中：

断路器K防止电压过大，起到保护电路的作用；

第一电感L1的一端连接断路器K并且通过该断路器K接收输入电压V_in，另一端分别连接第一二极管D1的正极和第一MOSFET Q1的漏极；

第二电感L2的一端连接断路器K并且通过该断路器K接收输入电压V_in，另一端分别连接第二二极管D2的正极和第二MOSFET Q2的漏极；

电容C的一端分别连接第一二极管D1的负极和第二二极管D2的负极，另一端分别连接第一MOSFET Q1的源极和第二MOSFET Q2的源极；

电容C与第一二极管D1以及第二二极管D2的相接端输出输出电压V_out；

电容C与第一MOSFET Q1以及第二MOSFET Q2的相接端接地。