[发明专利]具有电流扩展层的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.具有电流扩展层的发光二极管，包含： 

由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层；

在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；

其特征在于：所述n侧层由非本征掺杂缓冲层及复合式多电流扩展层依次层叠构成；所述复合式多电流扩展层由第一电流扩展层、第二电流扩展层及第三电流扩展依次层叠构成；所述第一电流扩展层及第三电流扩展层由u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互叠层而成，所述第二电流扩展层是在n型氮化物半导体层形成的分布绝缘层；所述第一电流扩展层与所述非本征掺杂缓冲层毗邻，所述第三电流扩展层与所述活性层毗邻。

2.根据权利要求1 所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述复合式多电流扩展层还包括一渐变式硅掺杂n型氮化物半导体层，其位于所述第二电流扩展层与所述第三电流扩展层之间。

3.根据权利要求1或2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：还包括一导电基板，由所述p侧、活性层和n侧层构成的外延结构位于所述导电基板之上，构成垂直的发光结构。

4.根据权利要求1或2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述分布绝缘层由以预定间隔隔开的绝缘部组成。

5.根据权利要求2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述复合式多电流扩展层膜厚为1000埃～100000埃。

6.根据权利要求1或2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述第二电流扩展层膜厚为100埃～5000埃。

7.根据权利要求2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述渐变式硅掺杂n型氮化物半导体层膜厚为200埃～5000埃。

8.根据权利要求2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述渐变式硅掺杂n型氮化物半导体层由二次成长外延所形成，其中硅掺杂浓度由1×10¹⁷cm^-3渐变至5×10¹⁹cm^-3。

9.根据权利要求8所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述渐变式硅掺杂n型氮化物半导体层由二次成长外延所形成，其中硅掺杂浓度由5×10¹⁷cm^-3 渐变至1×10¹⁹cm^-3。

10.根据权利要求1或2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层、第三电流扩展层各自膜厚为350埃～45000埃，其中u型氮化物半导体层与n型氮化物半导体层的膜厚比大于0.8，叠层周期数为1～100。

11.根据权利要求10所述的具有电流扩展层的垂直结构发光二管，其特征在于：所述第一电流扩展层膜厚为10000埃～40000埃，u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层的膜厚比为1.5：1，叠层周期数为40。

12.根据权利要求10或11所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述第三电流扩展层膜厚为4000埃～18000埃，u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层的膜厚比为1：1，叠层周期数为18。

13.根据权利要求1或2所述的具有电流扩展层的发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层、第三电流扩展层中，u型氮化物半导体层硅掺杂浓度小于5×10¹⁷cm^-3 ，n型氮化物半导体层硅掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。

14.具有电流扩展层的发光二极管的制作方法，包括步骤：

提供一生长衬底上，在其上形成n侧层；

在所述n侧层上形成活性层；

在所述活性层上形成p侧层，构成外延结构；

其中，所述n侧层由非本征掺杂缓冲层及复合式多电流扩展层依次层叠构成；所述复合式多电流扩展层由第一电流扩展层、第二电流扩展层及第三电流扩展依次层叠构成；所述第一电流扩展层及第三电流扩展层由u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互叠层而成，所述第二电流扩展层是在n型氮化物半导体层形成的分布绝缘层；所述第一电流扩展层与所述非本征掺杂缓冲层毗邻，所述第三电流扩展层与所述活性层毗邻。