[发明专利]基板处理装置及基板处理方法无效
申请号: | 201210174363.8 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102806177A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 宫本英典;佐保田勉 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | B05C9/14 | 分类号: | B05C9/14;B05C11/02;B05C13/02;B05D1/38;B05D3/02;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。
本申请基于2011年6月2日在美国申请的临时专利申请第61/492630号而主张优先权,并将其内容引用于此。
背景技术
使用半导体材料的CIGS型太阳能电池或CZTS型太阳能电池作为具有高变换效率的太阳能电池而受到注目,所述半导体材料包含Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及它们的组合等金属和S、Se、Te及它们的组合等硫族元素(例如参照专利文献1~专利文献3)。
CIGS型太阳能电池例如使用由上述Cu、In、Ga、Se这四种半导体材料构成的膜来作为光吸收层(光电变换层)。另外,CZTS型太阳能电池例如使用由Cu、Zn、Sn、Se这四种半导体材料构成的膜来作为光吸收层(光电变换层)。作为这样的太阳能电池的结构,例如公知有如下的结构:在由玻璃等构成的基板上设置由钼等构成的背面电极,并在该背面电极上配置上述光吸收层。
CIGS型太阳能电池或CZTS型太阳能电池与现有型的太阳能电池相比,能够减薄光吸收层的厚度,因此容易向曲面上设置或搬运。因此,被期待作为高性能的柔性太阳能电池而应用于广泛的领域。作为形成光吸收层的方法,以往例如公知有使用蒸镀法或溅射法等来形成的方法(例如,参照专利文献2~专利文献5)。
【专利文献1】日本特开平11-340482号公报
【专利文献2】日本特开2005-51224号公报
【专利文献3】日本特表2009-537997号公报
【专利文献4】日本特开平1-231313号公报
【专利文献5】日本特开平11-273783号公报
相对于此,本发明者提出将上述半导体材料以液状体涂敷在基板上的方法来作为形成光吸收层的方法。在通过液状体的涂敷来形成光吸收层的情况下,列举有以下的问题。
在涂敷液状体后,进行使涂敷膜含有的溶剂气化的气化工序。当气化工序在常温下进行时,溶剂的气化需要长时间,因此会妨碍处理时间的缩短。
发明内容
本发明鉴于上述的情况,其目的在于提供一种能够缩短处理时间的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的第一方式的基板处理装置具备:第一腔,其具有将含有易氧化性的金属及溶剂的液状体的涂敷膜形成在基板上的涂敷部;第二腔,其具有对所述涂敷膜进行加热的第一加热部;连接部,其将所述第一腔与所述第二腔之间连接,其中,在所述连接部设有对涂敷在所述基板上的所述涂敷膜进行加热的第二加热部及对所述涂敷膜的周围的压力进行调整的压力调整部。
根据本发明,由于在将第一腔与第二腔连接的连接部中设有对涂敷在基板上的涂敷膜进行加热的第二加热部及对涂敷膜的周围的压力进行调整的压力调整部,因此能够在将基板从第一腔向第二腔搬运的过程中加热涂敷膜,且同时进行减压干燥。由此,能够缩短处理时间。
上述的基板处理装置具备对所述第二加热部与所述基板的距离进行调整的距离调整部。
根据本发明,由于能够利用距离调整部对第二加热部与基板的距离进行调整,因此能够调整对涂敷膜的加热状态,从而在更适合的条件下对涂敷膜进行加热。
在上述的基板处理装置中,所述距离调整部具有使所述第二加热部及所述基板中的至少一方的移动对象物移动的移动部。
根据本发明,通过使第二加热部及基板中的至少一方的移动对象物移动,能够调整对涂敷膜的加热状态。
在上述的基板处理装置中,所述第二加热部与所述基板中的形成有所述涂敷膜的面对置配置。
根据本发明,由于第二加热部与基板中的形成有涂敷膜的面对置配置,因此能够有效地对涂敷膜加热。
在上述的基板处理装置中,所述移动部使所述移动对象物沿铅直方向移动。
根据本发明,由于移动部使移动对象物沿铅直方向移动,因此能够将涂敷膜保持为稳定的状态。
在上述的基板处理装置中,所述连接部具有向所述涂敷膜的周围供给气体的气体供给部。
根据本发明,由于能够利用气体供给部向涂敷膜的周围供给气体,因此能够调整使溶剂气化时的涂敷膜的周围的环境。
在上述的基板处理装置中,所述连接部具有包围所述基板及所述第二加热部的第三腔。
根据本发明,由于连接部具有包围基板及第二加热部的第三腔,因此能够更容易地控制基板及涂敷膜的周围的环境。
上述的基板处理装置具备在所述第一腔、所述第三腔和所述第二腔之间串联地搬运所述基板的基板搬运部。
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