[发明专利]一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种检测方法，尤其涉及一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法。 

背景技术

随着集成电路工艺的发展以及按比例尺寸缩小，一些新的材料和工艺都会被引入到集成电路的工艺中来满足整体功能的要求。例如前段的金属硅化物生长工艺方面，为了满足更小电阻的要求，金属镍就被引入作为与接触孔联接的材料。如图1A至1D所示，是表示金属镍硅化物形成的工艺示意图，由图1A可见，为器件栅极形成后表面生长氮化物，由图1B可见，在器件所需要生长金属硅化物的地方进行刻蚀，由图1C可见，对器件上表面的镍金属的生长，由图1D可见，对多余的镍金属进行移除，如图1E所示，在进行退火的时候会发生镍金属异常生长。 

由于镍的活性较高而发生的异常生长，造成器件性能的失效。如图5E所示，表示金属异常生成造成器件的栅极和源极连通从而导致整个器件的失效，由此可见，能否测试并控制好镍金属硅化物在平面内的生长就显得十分的重要。 

发明内容    

发明公开了一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法。用以解决现有技术中器件在退火时镍金属会发生异常生长，由于这种情况的发生致使在检测的时候不能有效的检测出镍金属生长长度的问题。

为实现上述目的，发明采用的技术方案是： 

一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，包括以下的工艺步骤：步骤一，在器件的有源区中形成N型井和P型井；步骤二，在所述N型井和P型井中相互相向的位置刻蚀出镍金属填充区域；步骤三，在镍金属填充区域进行镍金属硅化物的填充；

步骤四，在所述有源区以及所述N型井和P型井的上表面淀积介质层；

步骤五，在位于所述N型井和P型井的镍金属硅化物的上表面，刻蚀介质层并形成两接触孔；

步骤六，在所述两接触孔中进行钨的填充；

步骤七，对器件进行退火；

步骤八，使用电子显微镜直接检测观察镍金属硅化物在器件的平面里所生长的长度。

上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所填充的所述钨与所述镍金属硅化物接触连接。 

上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，在所述步骤八中，在电场下连接所述P型井的所述接触孔在电子显微镜下为暗光。 

上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，在所述步骤八中，在电场下连接所述N型井的所述接触孔在电子显微镜下为亮光。 

上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，在所述步骤八中，当N型井中镍金属硅化物与P型井中镍金属硅化物相互生长并接触的时候，在电场下连接所述P型井的所述接触孔在电子显微镜下为亮光。 

上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所述N型井和P型井之间的距离为一固定值，（并有一系列不同距离的相同结构）。 

上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所述N型井和P型井中镍金属硅化物受退火影响所生长的方向为相向生长。 

上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所述N型井和P型井中镍金属硅化物受退火影响所生长的生长长度一致。 

本发明中一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，采用了如上方案具有以下效果： 

1、有效地通过电子显微镜观察P型井与N型井中间不同尺寸的接触孔的亮光与暗光的变化，可以计算出得出镍金属硅化物在器件的平面内所生长的长度；

2、同时能够很好的控制该工艺的质量。

附图说明

通过阅读参照如下附图对非限制性实施例所作的详细描述，发明的其它特征，目的和优点将会变得更明显。 

图1A至1D，是表示普通金属镍硅化物形成的工艺示意图； 

图1E为普通金属镍硅化物在进行退火的时候会发生镍金属异常生长的示意图； 

图2A至2D为本发明的一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法的示意图； 

图3A、3B为本发明的一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法的镍金属硅化物生长在一起的示意图。 

图4为本发明的一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法的晶硅示意图。 

如图序号为：N型井1、P型井2、镍金属填充区域3、镍金属硅化物4、有源区5、介质层6、接触孔7、钨8。 

具体实施方式

为了使发明实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进一步阐述本发明。