[发明专利]双组织涡轮盘的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210124704.0 申请日: 2012-04-26
公开(公告)号: CN102615284A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 宁永权;姚泽坤 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: B22F3/16 分类号: B22F3/16;C22C19/03;C22F1/10
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 组织 涡轮 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种涡轮盘的制造方法,特别涉及一种双组织涡轮盘的制造方法。

背景技术

文献1“刘建涛,陶宇,张义文,张国星.FGH96合金双性能盘的组织与力学性能.材料热处理学报,2010,31:71-74”公开了一种采用“粉末制备→热等静压制坯→等温锻造成形→双组织热处理”制造双性能盘的方法。此涡轮盘的盘缘部位为ASTM 5-6级晶粒度的粗晶组织,盘毂部位为ASTM 10-11级晶粒度的细晶组织。盘缘和盘毂部位得到了晶粒度梯度,但双性能未完全达到预期目标。原因在于盘缘不具有ASTM 3级或者更粗的晶粒度、盘毂不具备ASTM 12级或者更细的晶粒度。

参照图6。文献2公开号是CN101845541A的中国发明专利公开了一种双合金盘类件梯度热处理装置,该装置由梯度热处理炉和水冷装置组成。梯度热处理炉由两个半圆炉体构成,依靠电阻带对盘件进行辐射加热;通过一个固定在炉体上端的冷却箱,依靠冷却水带走热量,获得温度梯度。受到炉体结构和水冷装置冷却效率低的限制,此装置不能再更高的温度上获得更大的温度梯度。仅能对压气机盘(通常由钛合金制造)进行梯度热处理(处理时盘缘加热温度在900℃左右),而无法对涡轮盘(通常由高温合金制造)进行梯度热处理(处理时盘缘温度在1100℃以上)。

发明内容

为了克服现有的盘缘与盘毂晶粒度梯度小的不足,本发明提供一种双组织涡轮盘的制造方法。该方法采用细晶热处理工艺、加大梯度热处理时的温度梯度,可以使盘心部位晶粒度更细、盘缘部位晶粒度更粗,进而增大盘心与盘缘部位的晶粒度梯度。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种双组织涡轮盘的制造方法,其特点是包括以下步骤:

(a)将以下组分的Ni基粉末高温合金进行真空熔炼,等离子旋转电极雾化法制粉,真空脱气、包套、封焊后,在1150-1200℃下进行热等静压成型,成型压力100-200MPa,成型时间为3-5h;其组分为0.02~0.05C;2.0~2.4Al;3.8~4.2W;0.6~1.0Nb;3.8~4.2Mo;3.5~3.9Ti;15.5~16.5Cr;12.5~13.5Co;<0.5Fe;0.006~0.015B;<0.15Mn;0.025~0.05Zr;≤0.20Si;≤0.015P;≤0.015S;≤0.001H;≤0.005N;≤0.007O;0.005-0.01Ce;Ta 0.01-0.2,余量为镍;

(b)将经过步骤(a)制备的热等静压态粉末高温合金利用壁厚δ=3-5mm的GH4133B高温合金进行硬包套;

(c)在1080-1140℃下,对硬包套后的坯料进行退火处理,时间是30-90min,炉冷;

(d)以5-15℃/s的加热速度将经过退火处理后的坯料加热至1100-1200℃,保温30-90min;在液压机上对坯料进行多方向锻造,模具温度为900-960℃;横梁速度为4-8mm/s,即先镦粗,变形量20-40%;再拔长,变形量20-40%;回炉加热至1100-1200℃,保温10-30min;再镦粗,变形量20-40%,再拔长,变形量为20-40%;回炉加热至1100-1200℃,保温10-30min;终锻镦粗变形,变形量30-70%;空冷;

(e)对多方向锻造后的坯料进行细晶热处理,具体工艺为以5-15℃/s加热速度将坯料加热至1080-1140℃,保温30min-90min,随炉冷却;

(f)对经过步骤(a)-(e)制备的细晶盘坯进行梯度热处理,具体工艺为盘缘部分温度为1100-1200℃,盘心部分温度为650-850℃,保温60min-120min后,随炉冷却至室温。

本发明相比现有技术的有益效果是:由于经过步骤(e)细晶热处理,使涡轮盘具备ASTM 13级晶粒度,优先满足了盘心部分对细晶粒度要求;经过步骤(f)梯度热后处理,使盘缘部位晶粒显著长大至ASTM 3级晶粒度,而后满足盘缘部分对粗晶粒度的要求。与背景技术文献1的制造方法相比,增加了细晶热处理工艺、加大了梯度热处理时的温度梯度,显著增大了盘心与盘缘部位的晶粒度梯度。

下面结合附图和实施例对本发明作详细说明。

附图说明

图1是本发明实施例1制备细晶盘坯的光学显微镜(OM)照片。

图2是本发明实施例1制备细晶盘坯的透射显微镜(TEM)照片。

图3是本发明实施例1制造双组织涡轮盘过渡区的背散射电镜(EBSD)照片。

图4是本发明实施例1制造双组织涡轮盘过渡区的能谱线性扫描(EDS)分析。

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