[发明专利]金属硅化物制造方法有效
| 申请号： | 201210118972.1 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103377894A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 制造 方法 | ||
1.一种金属硅化物制造方法，包括步骤：
在含硅衬底上形成特征线条；
在含硅衬底和特征线条上形成镍基金属层，其中镍基金属层的厚度大于由源漏结深确定的形成镍基金属硅化物所需的最小厚度；
执行第一退火，使得镍基金属层与含硅衬底反应形成均匀厚度的第一镍基金属硅化物；
去除未反应的金属后，执行第二退火，使得第一镍基金属硅化物转化为均匀厚度的第二镍基金属硅化物。
2.如权利要求1的金属硅化物制造方法，其中，镍基金属层的厚度为7～200nm。
3.如权利要求1的金属硅化物制造方法，其中，镍基金属层包括Ni、Ni-Pt、Ni-Co、Ni-Pt-Co。
4.如权利要求3的金属硅化物制造方法，其中，非Ni金属的含量为1％～50％。
5.如权利要求1的金属硅化物制造方法，其中，第二退火的温度高于第一退火的温度。
6.如权利要求5的金属硅化物制造方法，其中，第一退火温度为150～300℃。
7.如权利要求5的金属硅化物制造方法，其中，第二退火温度为450～550℃。
8.如权利要求1的金属硅化物制造方法，其中，第一镍基金属硅化物中的Ni含量大于第二镍基金属硅化物中的Ni含量。
9.如权利要求7的金属硅化物制造方法，其中，第一镍基金属硅化物包括Ni2Si、Ni2PtSi、Ni2CoSi、Ni2PtCoSi。
10.如权利要求7的金属硅化物制造方法，其中，第二镍基金属硅化物包括NiSi、NiPtSi、NiCoSi、NiPtCoSi。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
