[发明专利]一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金有效

专利信息
申请号: 201210078491.2 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN103320664A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 郑鹏飞;谌继明;付海英;李晨辉;陈霞;关巧;伍聪 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院;华中科技大学
主分类号: C22C27/02 分类号: C22C27/02;C22C32/00;C22C1/05;C22F1/18;C22F1/02
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅
地址: 610225 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 ti sub sic 弥散 强化 cr 合金
【说明书】:

技术领域

发明涉及合金强化和低活化结构材料领域,具体属于一种高强度和高塑性的弥散强化V-4Cr-4Ti合金的成分体系。

背景技术

钒合金由于具有低活化特性、高的高温强度、良好抗中子辐照能力以及与液态Li良好相容性而被选作为聚变堆V-Li包层的结构材料,其中V-4Cr-4Ti合金是作为聚变堆用低活化结构材料的首选,其综合性能最好而且对其进行的研究最为系统。V-4Cr-4Ti在大约700℃仍能保持较高的强度和良好的高温抗蠕变性能。但对于未来的商用聚变堆,低活化结构材料需要长期承受900℃甚至更高温度,在不显著降低钒合金塑性的前提下进一步提高钒合金的耐高温强度是一个亟待解决的技术难题。

文献1(Materials Science and Engineering A 417(2006)16-23)的研究显示V-1.7wt%Y具有良好的强度和塑性;但文献2(Journal of Materials 329-333(2004)462-466)对V-(1.7-2.4)wt%Y合金的高温强度研究显示,在800℃(1073K)时,V-Y合金的强度与V-4Cr-4Ti相当,低于这个温度时,前者显著高于后者;但反过来,高于这个温度时,前者显著低于后者。因此从V-Y合金从高温强度来看不及V-4Cr-4Ti。鉴于V-4Cr-4Ti具有优良的力学性能并已经在全球范围内得到充分深入的研究,因此有必要在V-4Cr-4Ti的基础上开展弥散强化工作。

Ti3SiC2是一种值得考虑的弥散添加物。Ti3SiC2具有优异的电、热性质及力学性能,晶体结构为层状,其a=b=0.3067nm,c=1.767nm,而钒为BCC晶体结构,a=b=c=0.303nm,与Ti3SiC2在a,b方向上相近。二者的热膨胀系数也相近,钒为10.3×10-6℃-1,Ti3SiC2为10~11×10-6℃-1,将Ti3SiC2弥散到钒合金中的话,热应力较小,二者具有良好的相容性。Ti3SiC2的热稳定性良好,在低于1100℃不易粗化长大,有利于钒合金的弥散强化。另外,合金中添入一定比例的Y,有助于吸收粉末原料中的杂质O、N,以形成Y2O3/YN弥散相更有利于合金的强化。

Ti3SiC2是一种陶瓷,不可直接通过熔炼的方法添加进钒合金中,需采用机械合金化的方法,控制高能球磨机的转速、球料比、磨球大小、球磨时间等参数,使Ti3SiC2粉末与V、Cr、Ti粉末经受反复的变形、冷焊、破碎达到元素间原子水平的合金化,从而得到纳米颗粒弥散强化相和均匀细小的显微组织。

发明内容

本发明要解决的主要技术问题是提供一种钒合金,以V-4Cr-4Ti为主要成分,采用弥散强化为主的强化方法,在保证钒合金良好塑性的前提下显著提高钒合金的强度。

为了解决以上问题,本发明采用的技术方案为:一种弥散强化钒合金,合金组分包括质量分数为4%的Cr、质量分数为4%的Ti、质量分数为0.05~20%的Ti3SiC2、质量分数为0.5~5%的Y,以及平衡量的V。

进一步的,这种弥散强化钒合金的室温抗拉强度≥600MPa,延伸率≥10%。合金中晶粒尺寸0.5~1.5μm,以Ti3SiC2为基本组分的弥散物尺寸为50~100nm。

进一步的,这种弥散强化钒合金的组分可以是V-4Cr-4Ti-0.4Ti3SiC2-1.8Y,包括质量分数为89.8%的V、质量分数为4%的Cr、质量分数为4%的Ti、质量分数为0.4%的Ti3SiC2、质量分数为1.8%的Y。

进一步的,这种弥散强化钒合金的组分还可以是V-4Cr-4Ti-1.2Ti3SiC2-1.8Y,包括质量分数为89%的V、质量分数为4%的Cr、质量分数为4%的Ti、质量分数为1.2%的Ti3SiC2、质量分数为1.8%的Y。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业西南物理研究院;华中科技大学,未经核工业西南物理研究院;华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210078491.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top