[发明专利]一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金有效

专利信息
申请号: 201210078491.2 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN103320664A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 郑鹏飞;谌继明;付海英;李晨辉;陈霞;关巧;伍聪 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院;华中科技大学
主分类号: C22C27/02 分类号: C22C27/02;C22C32/00;C22C1/05;C22F1/18;C22F1/02
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅
地址: 610225 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 ti sub sic 弥散 强化 cr 合金
【权利要求书】:

1.一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金,其特征在于:合金组分包括质量分数为4%的Cr、质量分数为4%的Ti、质量分数为0.05~20%的Ti3SiC2、质量分数为0.5~5%的Y,以及平衡量的V。

2.如权利要求1所述的一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金,其特征在于:合金的室温抗拉强度≥600MPa,延伸率≥10%。

3.如权利要求1所述的一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金,其特征在于:合金中晶粒尺寸0.5~1.5μm,以Ti3SiC2为基本组分的弥散物尺寸为50~100nm。

4.如权利要求1所述的一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金,其特征在于:组分是V-4Cr-4Ti-0.4Ti3SiC2-1.8Y,包括质量分数为89.8%的V、质量分数为4%的Cr、质量分数为4%的Ti、质量分数为0.4%的Ti3SiC2、质量分数为1.8%的Y。

5.如权利要求1所述的一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金,其特征在于:组分是V-4Cr-4Ti-1.2Ti3SiC2-1.8Y,包括质量分数为89%的V、质量分数为4%的Cr、质量分数为4%的Ti、质量分数为1.2%的Ti3SiC2、质量分数为1.8%的Y。

6.一种制备如权利要求1~5中任何一种Ti3SiC2弥散强化V-4Cr-4Ti合金的方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)将粒径为200目的V粉、Cr粉、Ti粉、Ti3SiC2粉和Y粉在真空或惰性气氛下按照V-4Cr-4Ti-(0.05~20)Ti3SiC2-(0.5~5)Y的质量分数成分比进行混合;

(2)将混合后的原材料在高能球磨机中进行球磨,球料比为7∶1,球磨机转速为200转/分钟,磨球是氧化钇稳定氧化锆,磨球直径为10毫米,球磨时间为60小时;

(3)将球磨后的的粉末在1350℃、30MPa条件下进行5分钟的放电等离子体烧结使其成形;

(4)将烧结成形的合金在1150℃、120MPa条件下进行热等静压使其致密化;

(5)将致密化处理后的合金在1100~1200℃,真空度为10-3pa的条件下进行真空退火1小时,最终得到弥散强化钒合金。

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