[发明专利]利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法

权利要求书

1.一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：

步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；

步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；

步骤3：退火，实现成核层再结晶；

步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一氮化镓成核层；

步骤5：第二次退火；

步骤6：在氮化镓成核层上依次生长非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。

2.根据权利要求1所述的一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其中图形衬底的图形底部尺寸为0.5-5μm，图形间距为0.3-3μm，图形高度为0.5-3μm，且图形呈六边形分布。

3.根据权利要求1所述的一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其中采用MOCVD技术，是利用氨气做为氮源，氮气或氢气做载气，三甲基镓或三乙基镓、三甲基铟和三甲基铝分别做为镓源、铟源和铝源；硅烷为N型掺杂剂，二茂镁为P型掺杂剂。

4.根据权利要求1所述的一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其中生长氮化物成核层的510-570℃，厚度为25-60nm。

5.根据权利要求1所述的一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其中退火温度为1020-1100℃，退火时间为200-500s。

6.根据权利要求1所述的一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其中生长氮化镓成核层的温度为900-1000℃，厚度为20-100nm。

7.根据权利要求1所述的一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，其中第二次退火的温度为1020-1100℃，退火的时间为30-200s。