[发明专利]导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置和母版

权利要求书

1.一种导电元件，包括：

基体，具有第一波面、第二波面和第三波面；

第一层，设置在所述第一波面上；

第二层，设置在所述第二波面上；

其中，所述第一层具有层叠有两个以上的子层的多层结构；

第二层具有包括构成所述第一层的一部分子层的单层结构或多层结构，

所述第一层和所述第二层形成导电图案部分，并且

所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am为所述第一波面的振动的平均振幅，Am2为所述第二波面的振动平均振幅，Am3为所述第三波面的振动的平均振幅，λm1为所述第一波面的平均波长，λm2为所述第二波面的平均波长，而λm3为所述第三波面的平均波长。

2.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0并且0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，

并且

所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均等于或小于可见光的波长。

3.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

所述第一波面的波长λ1、所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均等于或小于可见光的波长。

4.根据权利要求1所述的导电元件，

所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0以及0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，

并且

所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均为100μm以下。

5.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

所述第一波面的波长λ1、所述第二波面的波长λ2和所述第三波面的波长λ3均为100μm以下。

6.根据权利要求1所述的导电元件，还包括：

第三层，设置在所述第三波面上，

其中，所述第三层包括构成所述第二层的一部分子层，并且

所述第一层、所述第二层和所述第三层满足以下关系：

S1＞S2＞S3

其中，S1是所述第一层的单位面积，S2是所述第二层的单位面积，而S3是所述第三层的单位面积。

7.根据权利要求6所述的导电元件，

其中，所述第一层和所述第二层分别连续形成在所述第一波面和所述第二波面上，并且

所述第三层不连续地形成在所述第三波面上。

8.根据权利要求1所述的导电元件，还包括：

第三层，设置在所述第三波面上，

其中，所述第一层、所述第二层和所述第三层满足以下关系：

d1＞d2＞d3

其中，d1是所述第一层的平均厚度，d2是所述第二层的平均厚度，而d3是所述第三层的平均厚度。

9.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一层包括导电子层、设置在所述导电子层上的第一功能子层以及设置在所述第一功能子层上的第二功能子层，并且

所述第二层包括所述导电子层。

10.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，还在所述导电子层和所述第一功能子层之间设置有第二功能子层。

11.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，所述导电子层是包含氧化物半导体的透明导电子层，并且

所述氧化物半导体包括氧化铟锡或氧化锌。

12.根据权利要求11所述的导电元件，其中，所述氧化物半导体为非晶相和多晶相的混合状态。

13.根据权利要求9所述的导电元件，其中，所述第一功能子层和所述第二功能子层由不同的材料构成。