[发明专利]一种使用改良坩埚和加热器设计的硅晶体拉制法

权利要求书

1.一种使用横截面为非圆形的坩埚(1)进行直拉法硅晶体(8)生长工艺

本权利要求不限于方型(正四边形)坩埚(1)，三角形，长方形及其他多边形坩埚(1)都适用本发明的权利要求。

本权利要求不受限于直拉成晶(CZ)技术，使用本发明中描述坩埚(1)，以类似直拉法构造的软轴或者硬轴拉制设备使用各种边缘限定物作籽晶(7)从坩埚(1)上方拉制硅晶体(8)的EFG(边缘限定)方法也适用本权利要求。

在本发明所述坩埚(1)内部添加各种构件，或者在坩埚(1)的熔体(9)中悬置旋转或者非旋转的构件，并不形成对本发明的合理规避。也在本发明的权利要求范围之内。

本发明中横截面非圆型坩埚(1)的权利要求，并不受限于权利3所述该坩埚(1)是否系二次及多次烧结成型。二次及多次烧结成型旨在于寻求一种可以廉价低成本提供大型形状复杂的非石英陶瓷坩埚(1)的方法。

2.一种完全取消侧方加热器(5)，使用底部加热器(3)提高垂直温度梯度从而提高晶体拉制速度的直拉硅晶体(8)方法。此权利要求不限于是否使用本发明中所描述的权利要求1设计。

3.一种使用非一次成型(含二次及多次烧结成型)的非石英坩埚(1)(含碳化硅，氮化硅等各种高温陶瓷材料)进行直拉晶体硅(8)的方法。本权利要求旨在于寻求一种可以廉价低成本提供大型形状复杂的非石英陶瓷坩埚(1)的方法供直拉晶体硅(8)使用。

4.一种使用多边形侧方(不限于是否方型(正四边形)，三角形，长方形及其他多边形坩埚(1))石墨加热器(5)，石墨护板(2)及侧方保温罩(桶)(4)的方法，以减少石墨加热器的加工成本。对于圆柱形(横截面为圆形)坩埚(1)使用多边形侧方石墨加热器，石墨护板(2)及侧方保温罩(桶)(4)的方法，以减少石墨材料的加工成本也在本权利要求范围之内

备注：＊权利要求3与4不可能能同时使用在同一套设备中

备注：＊＊以上权利要求1，2，3，4不限于拉制单晶(mono(single)crystalline)，其他多晶(multicrystalline，polycrystalline，)或无定型态(amorphous)等硅晶体结构都适用本发明所要求的权利范围