[发明专利]一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺

权利要求书

1.一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，特征在于其工艺流程为：

LP毛箔—酸洗—微蚀—镀镍-锌合金—钝化—硅烷偶联剂—烘干—VLP铜箔。

2.如权利要求1所述一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，其特征在于，采用LP毛箔，先对其表面进行酸洗除去氧化层；再使用盐酸-硫酸铜组成的微蚀液喷于铜箔毛面，将“山峰”反应成微细小的瘤状颗粒；再电镀一层镍-锌合金，一层铬-锌合金；最后涂覆一层硅烷偶联剂后烘干。

3.如权利要求2所述一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，其特征在于具体工艺步骤为：

1）、酸洗：将工业纯浓硫酸稀释为体积百分比浓度为10-15%的稀硫酸，泵入酸洗槽，将铜箔放入酸洗液中浸泡1-5S；

2）、微蚀：将五水硫酸铜用40-80℃的热水溶解，加入工业纯的浓盐酸，混合均匀后对喷涂于铜箔的毛面进行蚀刻；

3）、镀镍-锌合金：将硫酸镍、硫酸锌分别用水溶解后混合，加入工业纯的浓硫酸，混合均匀后泵入镀镍-锌合金槽中进行电镀；

4）、钝化：将铬酸钾、硫酸锌、焦磷酸钾分别用水溶解，先将硫酸锌缓慢加入焦磷酸钾中，并快速搅拌，混合均匀后加入铬酸钾，用硫酸或氢氧化钾调节值后泵入防氧化槽电镀；

5）、硅烷偶联剂：将硅烷偶联剂加入水中，搅拌均匀后喷涂于铜箔表面，其中所述的硅烷偶联剂是指γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷或γ-氨丙基三乙氧基硅烷；

6）、烘干：温度180-240℃，处理时间 1-5s。

4.如权利要求3所述一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，其特征在于

步骤2）微蚀具体工艺条件为：CuSO₄ 180-240 g/L,HCl 30-90g/L,温度20-40℃，时间25-50s。

5.如权利要求3所述一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，其特征在于

步骤3）镀镍-锌合金具体工艺条件为：Zn²⁺ 0.5-4 g/L，Ni²⁺ 5-14 g/L，H₂SO₄100-200g/L，温度30-50℃，电流密度2-10A/dm²，时间1-5S。

6.如权利要求3所述一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，其特征在于

步骤4）钝化具体工艺条件为：Cr⁶⁺ 2.0-5.5g/L， Zn²⁺ 0.2-0.8 g/L，K₄P₂O₇  40-80 g/L，10-11，温度为 30-35 ℃，电流密度为3.5-8.0 A/dm²；处理时间1.5-5s。

7.如权利要求3所述一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，其特征在于

步骤5）硅烷偶联剂具体工艺条件为γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷或γ-氨丙基三乙氧基硅烷的含量1.5-5g/L，温度25-35℃，处理时间 1.5-3.5s。

8.一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺，将12μm表面粗糙度Rz为3.5μm的LP铜箔，处理成表面粗糙度为0.5-1.5μm的VLP铜箔。

9.经一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺得到的电解铜箔。

10.权利要求9所述的电解铜箔应用于挠性覆铜板。