[发明专利]一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物无效

专利信息
申请号: 201210058742.0 申请日: 2012-03-08
公开(公告)号: CN102586243A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 胡向军;王丽峰;田大为;王长振;乔思默;邹勇 申请(专利权)人: 中国人民解放军军事医学科学院放射与辐射医学研究所
主分类号: C12N15/11 分类号: C12N15/11;C12Q1/68
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 史双元
地址: 100850*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 预防 电磁辐射 脑损伤 标志
【权利要求书】:

1.一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物,其特征在于,该标志物为N-甲基-D-天门冬氨酸受体单核苷酸多态性。

2.根据权利要求1所述一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物,其特征在于,所述N-甲基-D-天门冬氨酸受体的基因为NR2B基因。

3.根据权利要求1所述一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物,其特征在于,所述N-甲基-D-天门冬氨酸受体单核苷酸多态性为NR2B基因启动子区-217位C/T单核苷酸多态。

4.一种预防电磁辐射致脑损伤的方法,其特征在于,按照如下步骤进行:

(1)抽取静脉血100-500μl,提取基因组DNA;

(2)以步骤(1)提取的基因组DNA为模板,以如序列表所述的核苷酸序列SEQ ID NO:1和SEQ ID NO:2为引物,做PCR;

(3)将步骤(2)得到的PCR产物进行测序,测序结果与标准NR2B基因比对,若其启动子区-217位基因型为CC型,则为抗电磁辐射致脑损伤大鼠;若其启动子区-217位基因型为CT型或TT型,则为电磁辐射致脑损伤敏感型大鼠。

5.根据权利要求4所述一种预防电磁辐射致脑损伤的方法,其特征在于,所述CC型是指在同源染色体上NR2B基因启动子区-217位点均为C,即野生纯合型;CT型是指在同源染色体上NR2B基因启动子区-217位点一个为C,另一个为T,即突变杂合型;TT型是指在同源染色体上NR2B基因启动子区-217位点均为T,即突变纯合型。

6.根据权利要求4所述一种预防电磁辐射致脑损伤的方法,其特征在于,所述标准NR2B基因为genebank上公布的NR2B基因序列,其genebank登录号为NC_005103。

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