[发明专利]显示器与驱动像素方法有效
申请号: | 201210054777.7 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN103295519A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 林志隆;张文彦;洪嘉泽;徐圣凯 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李鹤松 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 驱动 像素 方法 | ||
技术领域
本揭露有关于一种显示器,特别是有关于一种像素驱动电路。
背景技术
有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Display)的像素一般是以薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)搭配储存电容来储存电荷,以控制有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)的亮度表现。请参照图1,其为传统像素电路的示意图。像素电路100以包括(N型)薄膜晶体管102、储存电容104与有机发光二极管106为例来做说明。储存电容104的两端跨接于薄膜晶体管102的栅极G与源极S间,其电容跨压是标示为Vgs。有机发光二极管106的阳极耦接薄膜晶体管102的源极S,其电位标示为VOLED。所述结构是通过电容跨压Vgs(亦为栅源跨压)控制流过薄膜晶体管102的电流大小,即流过有机发光二极管106的电流IOLED=K*(Vgs-Vth)^2。而电容跨压Vgs为数据信号Vdata与有机发光二极管阳极端的电位VOLED间的电压差。因此,通过提供不同的数据信号Vdata便可控制发光二极管106的亮度表现。
然而薄膜晶体管102在实际操作时,会产生临界电压Vth的偏移(Shift)。此偏移量与薄膜晶体管的制造工艺、操作时间及所流过的电流大小等等有关。所以对整个显示面板上的所有像素来看,因每个薄膜晶体管102在导通时间、导通电流与制造工艺上的差异,会造成此些驱动用的薄膜晶体管102,彼此间的临界电压偏移量都不相同,进而使得每个像素的发光亮度与所接收到的像素电压并未维持相同的对应关系。如此便会造画面亮度不均匀的现象。因此,因此亟需一种像素驱动电路与像素驱动方法,来解决薄膜晶体管的临界电压偏移的问题。
发明内容
有鉴于此,本揭露提供一种显示器,包括:一像素驱动电路,包括:一第一开关元件,具有一第一端、耦接至一第一节点和一发光元件的一第二端、和一控制端耦接至一第二节点;一第二开关元件,具有一第一端耦接至一第一信号源、一第二端耦接至第一开关元件的第一端和一控制端耦接至一第一扫描信号线;一第三开关元件,具有一第一端耦接至一第二信号源、一第二端耦接至第二节点、和一控制端耦接至一第二扫描信号线;一第四开关元件,具有一第一端耦接至一第三节点、一第二端耦接至一接地端、和一控制端耦接至第二扫描信号线;一第一电容器,耦接于第二节点与第三节点之间;以及一第二电容器,耦接于第一节点与第三节点之间。
本揭露亦提供一种驱动像素方法,应用于一像素阵列中,包括:于一重置周期时,根据第二扫描信号截止所有像素的第三、第四开关元件,并且根据第一扫描信号导通所有像素的第二开关元件,使得第一、第二电容器所储存的电压通过第一、第二开关元件泄流至一低电压准位;于重置周期后的一补偿周期时,在所有像素的第一开关元件的控制端与第一端分别施以一第一参考电压准位和一第二参考电压准位,使得第一开关元件根据第一参考电压准位增加第一节点的电压准位至一补偿准位,其中第二参考电压准位大于或等于第一参考电压准位,以及补偿准位为参考电压准位减临界电压;于补偿周期后的一数据载入周期时,根据第一扫描信号截止第二开关元件,使得第三开关元件根据第二扫描信号将第二信号源的参考电压准位与所对应的数据信号载入第一电容器中;以及于数据载入周期后的一发光周期时,由第一开关元件根据第一电容器所储存的电压准位产生一驱动电流至发光元件,以便驱动发光元件。
本发明所提供显示器与驱动像素方法,能有效解决薄膜晶体管的临界电压偏移的问题。
附图说明
图1为传统像素电路的示意图;
图2是本揭露的像素驱动电路的一实施例;
图3是本揭露的扫描信号SS1、SS2和信号源PVDD1、PVDD2的一时序图;
图4是本揭露的像素驱动电路的另一实施例;
图5是本揭露的扫描信号SS1、SS2和信号源PVDD3的一时序图;
图6是本揭露的一显示面板;
图7是本揭露的一电子装置;
图8是本揭露的像素驱动方法的一流程图;
图9是一般渐进式驱动电路的时序图;以及
图10是本揭露的像素驱动电路的时序图。
附图标号:
100:像素电路;
102:薄膜晶体管;
104:储存电容;
106:有机发光二极管;
Vgs:栅源跨压;
S:源极;
D:漏极;
G:栅极;
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