[发明专利]一种LED封装用陶瓷散热基座的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210047066.7 申请日: 2012-02-28
公开(公告)号: CN103298268A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 张保祥;任永鹏;林信平;徐强 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H05K3/20 分类号: H05K3/20;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 封装 陶瓷 散热 基座 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于LED封装领域,尤其涉及一种LED封装用陶瓷散热基座的制备方法。

背景技术

随着LED封装功率的提高,产生的热量越来越多,要实现LED的大功率,高密度封装,必须对散热材料进行改进。铝基板由于其良好的散热性能在大功率封装方面迅速取代FR-4基板。但铝基板要在其上布线,必须加入一层热阻较高的有机层作为绝缘层,这层物质阻挡了热量快速的散失,阻碍更大功率LED的封装。目前比较一致的解决此问题的方法是使用陶瓷板,陶瓷板具有高绝缘强度,所以在其上形成电路不需要加入绝缘层,同时陶瓷材料也具有优异的热导率,比如高性能AlN陶瓷的热导率与金属铝不分上下。目前陶瓷板上布线的方式主要有厚膜法(HIC),薄膜法(DPC)及直接覆铜法(DBC)的方式。

厚膜法是在陶瓷表面丝网印刷导电浆料,为了让其和陶瓷结合良好,浆料中加入了大量的玻璃粉。玻璃粉的加入阻碍了导热导电性能。同时丝网印刷电路表面粗糙,线路精度受网板张力影响。直接覆铜法是在高温下铜和陶瓷通过铜氧共晶液相键合,其烧结温度高,烧结难度大,产品成本高。其上铜通常在100μm以上,蚀刻后线路解析度差,满足不了LED高集成密度的要求,主要应用在需要大电流(100A以上)通过的大功率控制模块。最为适合LED大功率封装的方法是薄膜法的方法,其本意就是直接镀铜法。但其要经过溅射镀膜,黄光显影,电镀加厚,蚀刻等步骤,所涉及的技术难度大,设备精度要求高,价格昂贵,投资大。

发明内容

本发明为解决现有的LED封装用陶瓷散热基座的制备方法价格昂贵,投资大的技术问题,提供一种价格便宜的LED封装用陶瓷散热基座的制备方法。本发明提供了一种LED封装用陶瓷散热基座的制备方法,该方法包括以下步骤:

S1在陶瓷基片的至少一表面依次涂覆油墨A和B,所述油墨A和油墨B在不同的溶液中具有不同的溶解性;

S2用激光器在步骤S1得到的陶瓷基片涂覆有油墨A和油墨B的表面进行绘制电路图;

S3将已经绘制电路图的陶瓷基片浸入活化液中进行活化;

S4去除活化后的陶瓷基片表面的油墨B;

S5将步骤S4得到的陶瓷基片进行金属化;

S6去除油墨A。

本发明的方法更为简便,涉及的技术容易掌握,所用设备更为常规。本发明通过油墨B的保护,进行选择性活化。油墨A的作用是防止在化学镀铜的过程中,发生挂镀现象,即没有活化的部分也有铜颗粒沉积,同时,油墨A保证线路宽度,否则由于铜横向生长,导致线路超出设计宽度,甚至细导线之间导通。

具体实施方式

为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明提供了一种LED封装用陶瓷散热基座的制备方法,该方法包括以下步骤:

S1在陶瓷基片的至少一表面依次涂覆油墨A和B,所述油墨A和油墨B在不同的溶液中具有不同的溶解性;

S2用激光器在步骤S1得到的陶瓷基片涂覆有油墨A和油墨B的表面进行绘制电路图;

S3将已经绘制电路图的陶瓷基片浸入活化液中进行活化;

S4去除活化后的陶瓷基片表面的油墨B;

S5将步骤S4得到的陶瓷基片进行金属化;

S6去除油墨A。

本发明的方法与DPC最大的区别在于形成线路的方法不同,DPC需要进行溅射镀膜,贴膜,曝光,显影,蚀刻等步骤,而本方法只需使用激光进行绘制电路图,通过保护油墨B选择性活化,通过A油墨保证线路精度及成品率。同时由于激光对陶瓷表面具有粗化作用,进一步提高了铜和陶瓷的结合力。

根据本发明所提供的LED封装用陶瓷散热基座的制备方法,优选地,所述油墨A在有机溶剂中溶解,而对酸、碱具有稳定性的油墨。更优选地,所述油墨A为抗酸碱蚀刻油墨。所述油墨A的去除方法为将陶瓷基片放入含CCl4或二甲苯的溶液中超声清洗30-60S。

根据本发明所提供的LED封装用陶瓷散热基座的制备方法,优选地,所述油墨B在弱碱中容易分解,而对酸性条件下稳定。更优选地,所述油墨B为抗酸蚀刻油墨。所述油墨B的去除方法为将覆有两层油墨的陶瓷基片放入0.1mol/l的NaOH的溶液,超声清洗1-3min。

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