[发明专利]内部电源电压生成电路无效

专利信息
申请号: 201210033230.9 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN102645952A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 杉浦正一 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: G05F3/08 分类号: G05F3/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 内部 电源 电压 生成 电路
【权利要求书】:

1.一种内部电源电压生成电路,其由输入到电源端子的电源电压生成内部电源电压,并提供给逻辑电路,其特征在于,

该内部电源电压生成电路具有:

输出晶体管,其输出跟随被提供给输入端子的电压的电压;以及

电流限制电路,其限制所述输出晶体管的最大电流。

2.根据权利要求1所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述输出晶体管是MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述输出晶体管是双极晶体管。

4.根据权利要求1所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述电流限制电路具备晶体管。

5.根据权利要求4所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述电流限制电路是包括所述晶体管的电流反射镜电路。

6.根据权利要求4所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述电流限制电路的所述晶体管是耗尽型MOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述电流限制电路具备电阻。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述电流限制电路设置在所述输出晶体管的高压侧。

9.根据权利要求1至7中的任一项所述的内部电源电压生成电路,其特征在于,

所述电流限制电路设置在所述输出晶体管的低压侧。

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