[发明专利]低温固体氧化物燃料电池及其制备方法有效
申请号: | 201210017903.1 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN103219525A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 占忠亮;钱继勤;曾凡蓉;叶晓峰;吴天植;吴昊;韩达 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01M4/86 | 分类号: | H01M4/86;H01M4/88;H01M8/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 项丹 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 固体 氧化物 燃料电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种低温固体氧化物燃料电池,它包括以下结构:
沉积于多孔钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ复合膜孔内壁的阳极薄膜,沉积于多孔钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ复合膜孔内壁的阴极薄膜,以及位于所述阳极薄膜与阴极薄膜之间的致密钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ电解质薄膜,式中,0≤x≤0.2,0≤y≤0.2,0≤δ≤0.2。
其中,所述钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ复合膜由多孔钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ衬底、致密钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ电解质薄膜、以及多孔钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ薄膜构成。
2.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述致密钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ电解质薄膜的厚度为1-100微米。
3.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述多孔钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ复合膜的厚度为1-1000微米。
4.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述多孔钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ复合膜的孔隙率为10%-90%。
5.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述多孔钙钛矿结构氧化物陶瓷La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ复合膜具有微米尺度孔结构,平均孔径在1-100微米之间。
6.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述阳极薄膜为致密或多孔结构,所述阳极薄膜的厚度在1纳米-1微米之间,颗粒平均粒径为1-500纳米。
7.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述阳极薄膜在所述低温固体氧化物燃料电池的体积分数为0.1%-99%。
8.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述阴极薄膜为致密或多孔结构,所述阴极薄膜的厚度在1纳米-1微米之间,颗粒平均粒径为1-500纳米。
9.如权利要求1所述的低温固体氧化物燃料电池,其特征在于,所述阴极薄膜在所述低温固体氧化物燃料电池的体积分数为0.1%-99%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210017903.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。