[发明专利]基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法有效
| 申请号： | 201210004076.2 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102544039A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 闫锋;马浩文;吴福伟;夏好广;卜晓峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 复合 介质 mosfet 光敏 探测器 源漏浮空 编程 方法 | ||
1.基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，复合介质栅MOSFET光敏探测器单元结构包括：P型半导体衬底（1），半导体衬底正上方依次设有底层绝缘介质（5），电荷存储层（4），顶层绝缘介质（3），控制栅（2）；半导体衬底中靠近叠层介质两侧通过离子注入掺杂形成N型源极（6）和漏极（7）；
曝光编程过程步骤: 曝光过程中源极和漏极浮空，衬底加一负偏压脉冲Vb，同时控制栅要加一正向偏压脉冲Vg。
2.根据权利要求1所述的基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，其特征是曝光过程中源极和漏极浮空，衬底加一个两段的负偏压脉冲，两段电压分别为Vb1、Vb2，同时控制栅加一个两段的正偏压脉冲，两段电压分别为Vg1、Vg2。
3.根据权利要求1所述的基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，参数选择是：Vg数值范围0~15V，Vb数值范围-15~0V，Vg1数值范围0-10V，Vg2数值范围0~15V， Vb1数值范围-10~0V，Vb2数值范围-15~0V。
4.根据权利要求1所述的基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，所述衬底加一个两段的负偏压脉冲，两段电压分别为Vb1、Vb2，控制栅加一个两段的正偏压脉冲，是指使用前段时间较长电压较小的脉冲和后段时间极短电压稍大的脉冲相结合的方法来实现曝光编程；用前段时间较长电压较小的脉冲来产生光电子并将光电子收集到P型半导体衬底和底层绝缘层的界面处，而后段时间极短电压稍大的脉冲使得P型半导体衬底中的光电子通过F-N隧穿进入电荷存储层。
5.根据权利要求1所述的基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，其特征是操作条件是控制栅电压为7至12V，衬底电压为-9至-5V。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
