[发明专利]氮化物单晶的制造方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201210003531.7 申请日: 2007-02-22
公开(公告)号: CN102492993A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 今井克宏;岩井真;下平孝直;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B9/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氮化物 制造 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1.一种氮化物单晶的制造方法,其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法,其特征在于,

使用的生长装置包括:用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器;

分别在所述每个坩埚内设置一个种晶,通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液,在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。

2.如权利要求1所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,水平方向上施加给所述组件直线加速度。

3.如权利要求1所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,施加给所述组件水平方向上的周期运动。

4.如权利要求3所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,对所述组件施加往复运动、自转运动或公转运动。

5.如权利要求1或2所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,所述组件具有设置在水平方向上的多个容纳室,该多个容纳室内分别容纳所述坩埚。

6.如权利要求5所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,对应于所述各个容纳室分别使用各自的坩埚加热装置。

7.如权利要求5或6所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,对应于所述各个容纳室分别使用各自的温度测量装置。

8.如权利要求1或2所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,所述压力容器内,垂直方向上设置有多个所述的发热体,并对各个发热体的发热量进行单独控制。

9.如权利要求1或2所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,在所述坩埚的底面上设置有突起,所述组件移动时使所述坩埚摇动起来。

10.如权利要求1或2所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,在所述多个坩埚内,设置至少表面是由与所述溶液不反应的材料制成的搅拌介质,使该介质与所述溶液保持接触状态,来同时搅拌所述多个坩埚内的所述溶液。

11.如权利要求10所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,所述搅拌介质的形状为球形。

12.如权利要求1或2所述的氮化物单晶的制造方法,其特征在于,在所述压力容器中,设置了容纳有粘度与所述溶液的粘度相近的物质的监控器。

13.一种氮化物单晶的制造装置,其为使用包含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的装置,其特征在于,包括:用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器;

分别在所述每个坩埚内设置一个种晶,通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液,在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。

14.如权利要求13所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,水平方向上施加给所述组件直线加速度。

15.如权利要求13所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,施加给所述组件水平方向上的周期运动。

16.如权利要求15所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,对所述组件施加往复运动、自转运动或公转运动。

17.如权利要求13或14所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,所述组件具有设置在水平方向上的多个容纳室,该多个容纳室内分别容纳所述坩埚。

18.如权利要求17所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,具有对应于所述各个容纳室的各自的坩埚加热装置。

19.如权利要求17或18所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,还具有对应于所述各个容纳室的各自的温度测量装置。

20.如权利要求13或14所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,所述压力容器内,垂直方向上设置有多个所述的发热体,并对各个发热体的发热量进行单独控制。

21.如权利要求13或14所述的氮化物单晶的制造装置,其特征在于,在所述坩埚的底面上设置有突起,所述组件移动时使所述坩埚摇动起来。

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