[发明专利]一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210002889.8 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102569639A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李润伟;左正笏;尚杰;詹清峰;陈斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L41/053 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 压电 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法，其特征是：首先采用现有技术制备保留阻挡层(201)的阳极氧化铝薄膜(200)；然后，在所述的阳极氧化铝薄膜(200)的阻挡层(201)表面沉积底电极(202)，接着在所述的底电极(202)表面依次沉积压电/铁电薄膜(203)与顶电极(204)；最后，用碱溶液腐蚀保留阻挡层(201)的阳极氧化铝薄膜(200)，使阻挡层(201)和阳极氧化铝薄膜(200)溶解在碱溶液中，得到自支撑压电/铁电薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的碱溶液包括氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯、氢氧化钙、氢氧化锶、氢氧化钡的水溶液中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法，其特制是：所述的底电极(202)是Pt、Au、Pd中的一种。
4.根据权利要求1或2所述的一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的沉积压电/铁电薄膜(203)的方法包括脉冲激光沉积，溅射法，分子束外延，化学气相沉积，物理气相沉积，电子束蒸发法制备压电/铁电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所，未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210002889.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可分离的电力信息显示插座模块
- 下一篇：一种金属栅极的制作方法
