[发明专利]具有通过粗化的改进的光提取的发光二极管(LED)无效
| 申请号： | 201210002738.2 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102593288A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 朱振甫;郑好钧;樊峰旭;刘文煌;郑兆祯 | 申请（专利权）人： | 旭瑞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 528222 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 通过 改进 提取 发光二极管 led | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管(LED)结构，该发光二极管结构包括：
用于发射光的多层半导体结构，所述结构的表面具有多个突起，其中，所述突起的侧面与所述多层半导体结构的表面形成大于90°的角，并且其中所述结构的表面和所述突起被进行粗化或纹理化以获得增加的表面积。
2.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述结构的表面和所述突起被以聚苯乙烯球体进行纹理化。
3.根据权利要求1所述的LED结构，其中，所述多层半导体结构包括：
p型掺杂层；
有源层，所述有源层被布置在所述p型掺杂层之上以用于发射光；以及
n型掺杂层，所述n型掺杂层被布置在所述有源层之上，使得具有所述多个突起的所述结构的表面是所述n型掺杂层的表面。
4.根据权利要求1所述的LED结构，该LED结构还包括布置在所述多层半导体结构之下的导电基底。
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