[实用新型]发光装置

说明书

技术领域

本实用新型有关一种发光装置，旨在提供一种具有较高亮度表现，且电性导通稳定良率提升的发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode；LED)为一固态发光元件，因具有体积小、寿命长、耗电量低、反应速度快等优点，已广泛使用于日常生活中。一般发光二极管产品可分为可见光和不可见光二部分，而可见光发光二极管又可以亮度一烛光作为一般发光二极管和高亮度发光二极管分界点。一般发光二极管多用于室内显示用途，例如数字灯和显示广告牌等等；而高亮度发光二极管则可作为照明用灯源、号志灯等等。至于不可见光发光二极管则应用在各式遥控装置上。

近年来因发光二极管耗电量低的特性，加上发光二极管使用固态的无机物质与无机的荧光粉体，更解决了以往电灯汞污染的问题，发光二极管的发展正朝向全面取代现今使用中照明光源的目标前进；二十世纪后期白光发光二极管的开发开启了发光二极管取代现有光源的序幕，而近几年来各先进国家皆积极投入发光二极管开发计划研究，已成功研发出1烛光亮度的蓝色发光二极管，使得发光二极管进入全彩的时代，更是发光二极管发展的一大进步。

传统发光二极管晶粒封装时是在晶圆切割成为个别晶粒之后，再将个别的晶粒打线封装聚集起来，以增加亮度，此方式必须针对个别晶粒打线，因此增加封装成本，且电性连通不稳定，发光效能也会受到影响。

故出现一种如中国台湾专利公开号第200905918号，专利名称「发光二极体及其制造方法」，其揭露一种发光二极管1包含有复数连续排列的发光晶片11，如图1所示，各发光晶片11间具有沟槽12，各发光晶片11表面设有分离的正、负极13、14，而相邻发光晶片11的正、负极13、14间藉由导电通道15连接，使各发光晶片11得以串联。

此种结构虽可改良习有个别晶粒封装、打线后再加以组装造成的种种缺失；然而，该等结构却具有下列缺点。

1、该等导电通道由该正极或负极表面依序沿着其表面以及沟槽，再延伸连接至该正极或负极表面，其距离较长，而一般导电通道由金属(例如金)制成，故其所耗费的成本较高，且因为其距离较长，电阻值相对较高，而通电后的热源亦相对较高。

2、该等导电信道所延伸的区域中，需跨越至少四个转折点16，该等转折点16(尤其是直角转折点)容易造成导电通道的断裂，使得电性无法确实连接，其不良率较高。 

3、跨越至少四个转折点16上须要加上不导电层17 (SiO₂ 或Si₃N₄)以避免元件漏电流，但设置不导电层会增加成本及遮敝光线。

4、因为该等导电通道距离较长，其于该发光二极管的发光面所占总面积较大，不仅外观不良，相对造成遮光面积较大，影响其亮度表现。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题即在提供一种具有较高亮度表现，且电性导通稳定良率提升的发光装置。

本实用新型的技术方案为：一种发光装置，该发光装置至少包含有：一基板；复数发光元件，间隔设置于该基板上，各发光元件表面分别具有第一、第二电极；以及复数空气金属架桥，各空气金属架桥分别设于相邻发光元件的第一、第二电极间，用以构成各发光元件的电性连接，而各空气金属架桥呈凸弧状。

其中，该空气金属架桥为钛层/金层/钛层所堆栈的多层结构。

该空气金属架桥为金层或银层。

各发光元件至少包含有：第一半导体层，设于该基板上；发光层，设于部分的该第一半导体层上；第二半导体层，设于该发光层上；第一电极，设于未覆盖有发光层的第一半导体层上；第二电极，设于该第二半导体层上。

该第一半导体层是一n型半导体层，该第二半导体层是一p型半导体层。

该第一半导体层是一p型半导体层，该第二半导体层是一n型半导体层。

该基板为蓝宝石基板。

本实用新型的有益效果为：本实用新型的发光装置至少包含有：一基板、复数发光元件以及复数空气金属架桥，各发光元件间隔设置于该基板上，各发光元件表面分别具有第一、第二电极，各空气金属架桥略呈凸弧状，而各空气金属架桥则分别设于相邻发光元件的第一、第二电极间，用以构成各发光元件的电性连接，使整体发光装置具有较高亮度表现。

附图说明

图1为习用发光二极管的结构示意图。

图2为本实用新型中发光装置的结构示意图。

图号说明：

发光二极管1

发光晶片11

沟槽12

正极13

负极14

导电通道15