[发明专利]均匀域测试装置及测试方法无效

专利信息
申请号: 201110443664.1 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN103185841A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 何小练 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R1/067
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 均匀 测试 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种均匀域测试装置,适用于电磁场辐射抗扰度均匀域测试,其特征在于:该均匀域测试装置包括测试架与安装于测试架的若干场强探头,该若干场强探头位于同一平面内并呈阵列排布,位于同一行或同一列的相邻的场强探头的间距不小于电磁场辐射抗扰度均匀域测试中相邻测试点的最小间距。

2.如权利要求1所述的均匀域测试装置,其特征在于:所述场强探头阵列的区域与电磁场辐射抗扰度均匀域测试所需的最大区域相一致。

3.如权利要求2所述的均匀域测试装置,其特征在于:所述场强探头可拆卸地装设在测试架上。

4.如权利要求1所述的均匀域测试装置,其特征在于:所述测试架包括底座、垂直立于底座之上且相互平行的两个立柱及以预定高度间隔设置于立柱上且相互平行的若干水平横杆,同一立柱上相邻的横杆的间距不小于电磁场辐射抗扰度均匀域测试中相邻测试点的最小间距,两立柱上同一高度的横杆相对的端部的间距不小于电磁场辐射抗扰度均匀域测试中相邻测试点的最小间距。

5.如权利要求4所述的均匀域测试装置,其特征在于:所述若干横杆位于同一竖直平面内,所述若干场强探头分别安装于该若干横杆的两端,以使该等场强探头形成适应均匀域测试的平面区域。

6.一种使用权利要求1至5所述的任一均匀域测试装置进行均匀域测试的方法,其特征在于包括如下步骤:

a.将所述均匀域测试装置放入均匀域验证平面区域中,使若干场强探头分别对应该频段均匀域验证平面区域中的测试点;

b.进行第一频段的均匀域的量测;

c.更换发射天线以使其适应第二频段的均匀域的量测;

d.进行第二频段的均匀域的量测;

e.判定测试结果。

7.如权利要求6所述的均匀域测试的方法,其特征在于:所述第一频段为低频段时,第二频段为高频段,当第一频段为高频段时,第二频段为低频段,该低频段均匀域的量测中,使用低频发射天线,该高频段均匀域的量测中,使用高频发射天线。

8.如权利要求6所述的均匀域测试的方法,其特征在于所述第一频段及第二频段的均匀域的量测还包括如下步骤:

f.发射预定极性的信号到该频段均匀域验证平面区域中;

g.调节发射功率,使某一场强探头读到一个预定场强,记录此时发射功率及其余场强探头的读值;

h.以特定步长增加发射频率,直到该频段的频率上限,记录各个频率点的发射功率及各场强探头的读值;

i.更换发射信号的极性,重复步骤g,h。

9.如权利要求8所述的均匀域测试的方法,其特征在于:所述低频段的频率范围为80MHz~1000MHz,高频段的频率范围为1GHz~3GHz。

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