[发明专利]带隙基准源的启动电路有效
申请号: | 201110391320.0 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN103135655A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 唐成伟 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 孙大为 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 启动 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种高精度低电压的带隙基准源的启动电路。
背景技术
基准电流源在模拟和混合信号系统中占有非常重要的地位,在A/D转换器,D/A转换器以及很多模拟电路如运算放大器、滤波器等电路中起着至关重要的作用。
目前,如图2所示,由于需要低压带隙基准源,因此需要在运放输入端并入两个相同的电阻R1、R2,由于实际运放输入端会有OFFSET,因此这种结构带来了额外的稳定状态,即除了正常状态和PMOS电流镜完全关断的状态外,还有第三个状态。在这个状态下,三极管会有纳安级的电流。为了避开第三个稳定状态,在全工作条件和工艺角情况下,正常工作时,启动电路中的电路往往不能够完全关闭,会有几十纳安甚至几百纳安量级的电流流入带隙基准源的环路,降低了带隙基准源的精度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种带隙基准源的启动电路,它可以提高带隙基准源的精度。
为了解决以上技术问题,本发明提供了一种带隙基准源的启动电路;包括:电流镜MP1、MP2和MP3,电流镜MP1、MP2和MP3的栅极都为运放A1的输出,其源极都接电源,电流镜MP1的漏极节点A接电阻R1、三极管Q1的发射极和运放A1的输入;MP0的漏极节点B接电阻R0、电阻R2和运放A1的输入,电阻R0的另一端节点C接三极管Q0的发射极,电流镜MP2的漏极接电阻R3并连接输入电压vref;电阻R1、R2、R3的另一端和三极管Q0,Q1的基极、集电极均接地;晶体管MN1和MN2的漏极接电源,栅极分别接节点B和节点C,晶体管MN1的源极接电阻R4,电阻R4另一端节点D接电流源I1和比较器CMP输入,晶体管MN2的源极节点E连接比较器输入和电流源I2。
本发明的有益效果在于:可以提高带隙基准源的精度。
在带隙基准源中,对与三极管Q0串联的电阻R0两端的电压进行检测,并用这检测结果来控制启动电路打开或者关闭。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是本发明所述带隙基准源的启动电路的示意图;
图2是普通的带隙基准源的启动电路的示意图。
具体实施方式
如图1所示,这是一种高精度低电压的带隙基准源的启动电路。MP1,MP2和MP3为电流镜,其栅极都为运放A1的输出,其源极都接电源,MP1的漏极节点A接电阻R1,三极管Q1的发射极和运放A1的输入,MP0的漏极节点B接电阻R0,电阻R2和运放A1的输入,电阻R0的另一端节点C接三极管Q0的发射极,MP2的漏极接电阻R3并输入vref,电阻R1,R2,R3的另一端和三极管Q0、Q1的基极,集电极均接地。MN1和MN2的漏极接电源,栅极分别接节点B和节点C,MN1的源极接电阻R4,电阻R4另一端节点D接电流源I1和比较器CMP输入,MN2的源极节点E连比较器输入和电流源I2,比较器输出控制带隙基准源的的启动电路startup。
如图1所示,在带隙基准源的三个稳定状态中,只有正常工作状态,MP0会有微安级的电路并在电阻R0上产生60mV~120mV的电压,其他两个稳定状态下,电阻R0上产生的压降不大于2mV,因此只要能区分电阻R0上的压降大小,就能控制启动电路是否打开或者完全关闭。通过用一个带迟滞作用的比较器,就能这样的电路。节点B、C分别经过源跟随器输出节点F、E,其中节点F电压再减去一个固定电压得到节点D,并把节点D和节点E通过比较器CMP比较输出来控制启动电路的打开与否。这样在正常工作时,不会有额外的启动电路的电流流入带隙基准源环路。
本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法,以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110391320.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。