[发明专利]一种二氧化钒薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110367129.2 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN102392230A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 林媛;吉彦达;潘泰松;曾波;梁伟正;张胤 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钒薄膜的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:配制无机偏钒酸盐聚合物溶液;首先将带有氨基或者亚氨基的水溶性聚合物溶于水,得到溶液A;然后往溶液A中加入无机偏钒酸盐,搅拌至完全溶解,得到黄棕色溶液B;最后往溶液B中加入具有羧基基团的络合剂,超声、搅拌至溶液澄清透明,得到无机偏钒酸盐聚合物溶液C;
步骤2:采用超滤装置,滤去无机偏钒酸盐聚合物溶液C中游离的离子,并采用蒸发的方式除去溶液中的部分水以浓缩溶液,得到钒的聚合物前驱溶液;
步骤3:将步骤2所得钒的聚合物前驱溶液旋涂于清洁的基片表面;
步骤4:将旋涂了步骤2所得钒的聚合物前驱溶液的基片置于400~800℃的环境中、并在还原气氛下热处理1小时以上,冷却后得到最终的二氧化钒薄膜。
2.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1中所述带有氨基或者亚氨基的水溶性聚合物为聚乙烯亚胺或多乙烯多胺。
3.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1中所述无机偏钒酸盐为NaVO3、KVO3、Li VO3或NH4VO3。
4.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1中所述具有羧基基团的络合剂为乙二胺四乙酸或草酸。
5.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤3中所述基片若采用单晶基片可获得外延生长的二氧化钒薄膜。
6.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,步骤4热处理过程的实现装置为管式炉;其中还原气氛为氢气和氮气的混合气体。
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C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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