[发明专利]一种制备HfLaO高介电栅介质薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110366551.6 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437040A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李智 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅 |
| 地址： | 116622 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 hflao 高介电栅 介质 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备HfLaO高介电栅介质薄膜的方法，以单晶硅片为衬底，包括衬底清洗和薄膜沉积的步骤，其特征在于，所述薄膜沉积的步骤是采用射频磁控溅射技术，金属Hf靶的溅射入射功率为120w，金属La靶的溅射入射功率为40～100w，室温下在衬底单晶硅片上同时溅射沉积2小时，得到HfLaO薄膜；
所述HfLaO薄膜中，La原子含量占La原子和Hf原子总量的比为17～37％。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，溅射时Hf靶和La靶的靶面法线方向分别与单晶硅片的法线方向成45°，在固定Hf靶的溅射入射功率的情况下，通过调节La靶的溅射入射功率，得到HfLaO薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，溅射真空室抽至本底真空度为8.0×10-4Pa，以Ar和O2的混合气氛作为反应气氛；
所述Ar的表观质量流量为30cm3/min，O2的表观质量流量为5cm3/min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，溅射时的工作气压为1Pa。
5.根据权利要求1～4中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述金属Hf靶和金属La靶的纯度为99.99％。
6.根据权利要求1～4中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述衬底单晶硅片为n型取向的单晶硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
