[发明专利]静电侦测电路

权利要求书

1.一种静电侦测电路，其包括串联连接于电源线与地线之间的电阻及开关单元，当电源线上存在静电时，该开关单元导通，使得该电阻的两端产生侦测电压，该侦测电压用于触发一静电保护电路消除静电或一控制电路保存数据。

2.如权利要求1所述的静电侦测电路，其特征在于：该电阻的第一端通过开关单元连接电源线，该电阻的第二端连接地线。

3.如权利要求2所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的多个PMOS管，每个PMOS管的栅极与漏极连接，该电源线与其相邻的PMOS管的源极连接，每个PMOS管的源极与其相邻的PMOS管的漏极连接，每个PMOS管的漏极与其相邻的PMOS管的源极连接，该电阻的第一端与其相邻的PMOS管的漏极连接。

4.如权利要求2所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的多个NMOS管，每个NMOS管的栅极与漏极连接，该电源线与其相邻的NMOS管的漏极连接，每个NMOS管的漏极与其相邻的NMOS管的源极连接，每个NMOS管的源极与其相邻的NMOS管的漏极连接，该电阻的第一端与其相邻的NMOS管的源极连接。

5.如权利要求2所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的多个PMOS管及至少一个NMOS管，每个PMOS管的栅极与漏极连接，该至少一个NMOS管的栅极与漏极连接，该电源线与其相邻的PMOS管的源极连接，每个PMOS管的源极与其相邻的PMOS管的漏极连接，每个PMOS管的漏极与其相邻的PMOS管的源极连接，该至少一个NMOS管的漏极与其相邻的PMOS管的漏极连接，该至少一个NMOS管的源极与电阻的第一端连接。

6.如权利要求2所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的至少一个PMOS管及多个NMOS管，该至少一个PMOS管的栅极与漏极连接，每个NMOS管的栅极与漏极连接，该电源线与该至少一个PMOS管的源极连接，该至少一个PMOS管的漏极与其相邻的NMOS管的漏极连接，每个NMOS管的源极与其相邻的NMOS管的漏极连接，每个NMOS管的漏极与其相邻的NMOS管的源极连接，该电阻的第一端与其相邻的NMOS管的源极连接。

7.如权利要求2所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的多个二极管，该电源线与其相邻的二极管的阴极连接；每个二极管的阴极与其相邻的二极管的阳极连接，每个二极管的阳极与其相邻的二极管的阴极连接；该电阻的第一端与其相邻的二极管的阳极连接。

8.如权利要求1所述的静电侦测电路，其特征在于：该电阻的第一端连接电源线，该电阻的第二端通过开关单元连接地线。

9.如权利要求8所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的多个PMOS管，每个PMOS管的栅极与漏极连接，该电阻的第二端与其相邻的PMOS管的源极连接，每个PMOS管的源极与其相邻的PMOS管的漏极连接，每个PMOS管的漏极与其相邻的PMOS管的源极连接，该地线与其相邻的PMOS管的漏极连接。

10.如权利要求8所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的多个NMOS管，每个NMOS管的栅极与漏极连接，该电阻的第二端与其相邻的NMOS管的漏极连接，每个NMOS管的漏极与其相邻的NMOS管的源极连接，每个NMOS管的源极与其相邻的NMOS管的漏极连接，该地线与其相邻的NMOS管的源极连接。

11.如权利要求8所述的静电侦测电路，其特征在于：该开关单元包括依次串联连接的多个PMOS管及至少一个NMOS管，每个PMOS管的栅极与漏极连接，该至少一个NMOS管的栅极与漏极连接，该电阻的第二端与其相邻的PMOS管的源极连接，每个PMOS管的源极与其相邻的PMOS管的漏极连接，每个PMOS管的漏极与其相邻的PMOS管的源极连接，该至少一个NMOS管的漏极与其相邻的PMOS管的漏极连接，该至少一个NMOS管的源极与地线连接。