[发明专利]一种应用于方孔图形的光学临近修正方法

权利要求书

1.一种应用于方孔图形的光学临近修正方法，其特征在于，在方孔图形的长方向上的外侧添加一些辅助的细条型开槽，增加所述方孔图形的一维图形特征，以提高方孔图形的图形分辨率和工艺窗口。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，主要步骤如下：

(1)在数个原设计方孔版图方孔图形的长方向上的外侧分别添加一组辅助细条型开槽，且不同组辅助细条型开槽的图形尺寸都不一样；

(2)对上述添加过辅助细条型开槽的数个版图进行光刻仿真模拟，根据模拟出的图形分辨率和工艺窗口结果，选择最佳的辅助细条型开槽的图形尺寸；

(3)对上述步骤(2)选择的最佳设计图形在硅片上进行光刻工艺，以确定没有形成相应于上述辅助细条型开槽的光刻胶图形，且图形的分辨率和工艺窗口符合设计要求，否则，重新回到上述步骤(1)，直到获得满足设计要求的光刻胶图形。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方孔图形，其长度为x，宽度为y，且满足1∶1＜x/y＜5∶1。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的一组辅助细条型开槽包括四条图形尺寸相同的辅助细条型开槽(200)，且两两分别位于原设计方孔版图方孔图形的两侧，且与方孔图形的长方向上中心轴对称。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的一组辅助细条型开槽包括四条图形尺寸相同的辅助细条型开槽(200)和两条图形尺寸相同的辅助细条型开槽(300)；所述的辅助细条型开槽(200)两两分别位于方孔图形的两侧，且与方孔图形的长方向上中心轴对称，所述辅助细条型开槽(300)分别位于方孔图形的两侧，且其中心轴与方孔图形的长方向上中心轴重合。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的图形尺寸说明如下：a和b分别为辅助细条型开槽(200)的宽度和长度，且满足a＜0.2微米，b＞2a，d为辅助细条型开槽(200)外边框和方孔图形外边框的距离，且满足d＜a。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的图形尺寸说明如下：a和b分别为辅助细条型开槽(200)的宽度和长度，且满足a＜0.2微米，b＞2a，d为辅助细条型开槽(200)外边框和方孔图形外边框的距离，且满足d＜a；e和f分别为辅助细条型开槽(300)的宽度和长度，且满足e＜0.2微米，f＞2e。

8.根据权利要求2或4或5所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述的辅助细条型开槽在方孔图形的长方向上与方孔图形的距离为0。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述选择最佳的辅助细条型开槽的图形尺寸如下：a＝0.07微米，b＝1微米，d＝0.035微米，e＝0.05微米，f＝0.6微米。

10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述的光刻工艺使用的光刻条件是一维的线条图形所要求的最佳条件。