[发明专利]利用RRAM器件实现逻辑运算的方法

权利要求书

1.一种利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，其特征在于，

将两个RRAM器件相互串联或并联连接；

将所述两个RRAM器件串联或并联后的两端作为两个电阻网络端口；

对所述两个RRAM器件的电极端施加逻辑运算信号；

由所述两个电阻网络端口之间的电阻状态参量得到逻辑运算结果。

2.如权利要求1所述的利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，其特征在于，所述逻辑运算为逻辑“或”运算，实现所述逻辑“或”运算的方法为：

将两个RRAM器件并联连接；

将所述两个RRAM器件并联后的两端作为两个电阻网络端口，设所述两个电阻网络端口之间的电阻状态为高阻状态时表示逻辑“1”，为低阻状态时表示逻辑“0”；

将每个RRAM器件的底电极端连接中电位；

分别对两个RRAM器件的顶电极端施加第一逻辑运算信号和第二逻辑运算信号；设所述第一逻辑运算信号或第二逻辑运算信号为高电位信号时表示逻辑“1”，为低电位信号时表示逻辑“0”；

由所述两个电阻网络端口之间的电阻状态参量得到逻辑运算结果。

3.如权利要求1所述的利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，其特征在于，所述逻辑运算为逻辑“异或”运算，实现所述逻辑“异或”运算的方法为：

将两个RRAM器件并联连接；

将所述两个RRAM器件并联后的两端作为两个电阻网络端口，设所述两个电阻网络端口之间的电阻状态为高阻状态时表示逻辑“1”，为低阻状态时表示逻辑“0”；

将所述两个RRAM器件的初始状态设为高阻状态；

对一个RRAM器件的顶电极端和底电极端分别施加第一逻辑运算信号和第二逻辑运算信号；

对另一个RRAM器件的顶电极端和底电极端分别施加第二逻辑运算信号和第一逻辑运算信号；

设所述第一逻辑运算信号或第二逻辑运算信号为高电位信号时表示逻辑“1”；为低电位信号时表示逻辑“0”；

由所述两个电阻网络端口之间的电阻状态参量得到逻辑运算结果。

4.如权利要求2或3所述的利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，其特征在于，在对所述两个RRAM器件的两个电极端之间施加偏压时，所述两个RRAM器件并联连接的顶电极端之间断开连接、底电极端之间断开连接。

5.如权利要求1所述的利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，其特征在于，所述逻辑运算为逻辑“与”运算，实现所述逻辑“与”运算的方法为：

将两个RRAM器件底电极相接进行串联；

将所述两个RRAM器件串联后的首尾两个顶电极作为两个电阻网络端口，设所述两个电阻网络端口之间的电阻状态为高阻状态时表示逻辑“1”，为低阻状态时表示逻辑“0”；

将所述两个RRAM器件的底电极连接中电位；

分别在所述两个RRAM器件的两个顶电极上施加第一逻辑运算信号和第二逻辑运算信号；设所述第一逻辑运算信号或第二逻辑运算信号为高电位信号表示逻辑“1”，为低电位信号时表示逻辑“0”；

由所述两个电阻网络端口之间的电阻状态参量得到逻辑运算结果。

6.如权利要求1所述的利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，其特征在于，所述逻辑运算为逻辑“或非”运算，实现所述逻辑“或非”运算的方法为：

将两个RRAM器件顶电极相接进行串联；

将所述两个RRAM器件串联后的首尾两个底电极作为两个电阻网络端口，设所述两个电阻网络端口之间的电阻状态为高阻状态时表示逻辑“1”，为低阻状态时表示逻辑“0”；

将所述两个RRAM器件的顶电极连接中电位；

分别在所述两个RRAM器件的两个底电极上施加第一逻辑运算信号和第二逻辑运算信号，设所述第一逻辑运算信号或第二逻辑运算信号为高电位信号时表示逻辑“1”，为低电位信号时表示逻辑“0”；

由所述两个电阻网络端口之间的电阻状态参量得到逻辑运算结果。

7.如权利要求1所述的利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，其特征在于，所述逻辑运算为逻辑“NIMP”运算，实现所述逻辑“NIMP”运算的方法为：

将两个RRAM器件顶电极相接进行串联；

将所述两个RRAM器件串联后的首尾两个底电极作为两个电阻网络端口，设所述两个电阻网络端口之间的电阻状态为高阻状态时表示逻辑“1”，为低阻状态时表示逻辑“0”；

将一个RRAM器件的底电极上连接中电位；

在另一个RRAM器件的底电极上施加第一逻辑运算信号；在两个RRAM器件的顶电极上施加第二逻辑运算信号；设所述第一逻辑运算信号或第二逻辑运算信号为高电位信号时表示逻辑“1”，为低电位信号时表示逻辑“0”；

由所述两个电阻网络端口之间的电阻状态参量得到逻辑运算结果。