[发明专利]用于去除底切的UMB蚀刻方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成衬底上方的凸块下金属(UBM)层；

形成所述UBM层上方的掩模，其中，所述掩模覆盖所述UBM层的第一部分，而所述UBM层的第二部分通过所述掩模中的开口暴露；

在所述开口中和所述UBM层的所述第二部分上形成金属凸块；

去除所述掩模；以及

执行激光去除来去除所述UBM层的所述第一部分的部分，从而形成UBM。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述UBM包括钛层以及处在所述钛上方的铜种层，并且在所述激光去除的步骤中被去除的所述UBM层的所述第一部分的所述部分包括所述钛层的部分和所述铜种层的部分；或者

在所述激光去除的步骤之后，所述UBM的所述第一部分的部分未被去除，并且其中，所述UBM包括所述UBM层的所述第二部分和所述UBM层的所述第一部分的剩余部分；以及

所述UBM的所述第一部分的所述剩余部分形成具有基本上均匀宽度的环。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在大约10毫秒和大约1秒之间的持续时间内进行所述激光去除；或者

使用具有在大约100nm和大约400nm之间的波长的激光束执行所述激光去除；或者

使用具有在大约300毫焦耳/cm²和大约1500毫焦耳/cm²之间的能级的激光束执行所述激光去除。

4.一种方法，包括：

在衬底上方形成金属焊盘；

在所述金属焊盘上方形成钝化层；

在所述钝化层上方形成钛阻挡层，并且所述钛阻挡层延伸进入到所述钝化层的开口中，从而电连接所述金属焊盘；

在所述钛阻挡层上方形成铜种层；

在所述铜种层上方形成掩模，其中，所述掩模覆盖所述铜种层的第一部分，并且其中，所述铜种层的第二部分未被所述掩模所覆盖；

在所述铜种层的所述第二部分上形成金属凸块；

去除所述掩模，从而暴露出所述铜种层的所述第一部分；以及

将激光束投射在所述金属凸块和所述铜种层上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在投射所述激光束的步骤之后，去除暴露于所述激光束的所述铜种层的第一部分；以及

在投射所述激光束的步骤之后，去除处在所述铜种层的所述第一部分正下方的所述钛阻挡层的部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在投射所述激光束的步骤之后，不去除暴露于所述激光束的所述铜种层的第二部分；以及

所述铜种层的所述第二部分形成包围所述金属凸块的环，并且整个所述环的所有部分都具有基本上均匀的宽度。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，在大约10毫秒和大约1秒之间的持续时间内投射所述激光束；或者

所述激光束具有在大约100nm和400nm之间的波长；或者

所述激光束具有在大约300毫焦耳/cm²和大约1500毫焦耳/cm²之间的能级。

8.一种集成电路结构，包括：

金属焊盘，处在衬底上方；

钝化层，处在所述金属焊盘上方；

凸块下金属(UBM)，处在所述钝化层上方并且延伸进入到所述钝化层的开口中，从而电连接至所述金属焊盘，其中，所述UBM包括：

钛阻挡层；以及

铜种层，处在所述钛阻挡层上方；以及

金属凸块，处在所述UBM的第一部分上方并且与其垂直重叠，其中，所述UBM进一步包括不与所述金属凸块垂直重叠的第二部分。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述UBM的所述第二部分形成包围所述UBM的所述第一部分的环；以及

所述环的所有部分具有基本上均匀的宽度，

所述基本上均匀的宽度在大约1μm和大约10μm之间。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述UBM的所述第二部分包括所述钛层的部分和所述铜种层的部分。