[发明专利]一种水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110336786.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102509632A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 吴允苗 | 申请（专利权）人： | 泉州师范学院 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 戴中生 |
| 地址： | 362000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 水合 结构 sno sub iro xh 氧化物 薄膜 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料，其特征在于：所述薄膜电极材料由衬底和SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜共同组成，所述SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜沉积于衬底表面，所述氧化物薄膜具有水合结构，氧化物薄膜中Sn∶Ir摩尔比为30～70∶70～30，其中x为0.2～3。
2.一种如权利要求1所述的水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将锡前躯体、铱前躯体溶解到溶剂中，并加入适量双氧水和盐酸，搅拌均匀后制得锡铱离子摩尔比为30～70∶70～30的前躯体溶液，双氧水的添加量按每摩尔金属离子添加60～120ml计量；盐酸的添加量按每升溶液添加20～50ml计量；
2)将前躯体溶液涂覆在衬底表面，然后在红外灯下烘干固化后送入气氛炉中进行热处理，热处理过程持续向炉内通入水蒸气和空气混合气体，热处理温度为405℃-550℃，热处理时间为8～15分钟，出炉后用风扇吹冷，重复进行涂覆、烘干固化、热处理、冷却步骤8-12遍，最后，在405℃-550℃退火，退火过程持续向炉内通入水蒸汽和空气的混合气体，退火30～90分钟，然后随炉冷却，即制得水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料。
3.根据权利要求2所述的水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料，其特征在于：所述衬底为具有良好导电性的钛、钛合金、钽、镍、钒中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的锡前躯体为氯化亚锡、结晶四氯化锡、烷氧基锡中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的铱前躯体为氯铱酸、四氯化铱中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的水合结构SnO2/IrO2·xH2O氧化物薄膜电极材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的溶剂为乙醇、正丁醇、异丙醇、水，盐酸中的至少一种。
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