[发明专利]等离子显示屏、等离子显示屏的后基板组件及其制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及等离子显示技术领域，具体而言，涉及一种等离子显示屏、等离子显示屏的 后基板组件及其制作工艺。

背景技术

现有技术中的交流气体放电等离子显示屏均采用表面放电型结构，包括一个前基板及与 之封接在一起的后基板，前基板上配置有透明电极ITO和汇流电极，透明电极和汇流电极构 成放电电极，放电电极包括维持放电电极X和扫描放电电极Y，在放电电极的表面覆盖有一 层介质层，介质层上覆盖保护层，该保护层是氧化镁膜。后基板上配置有与放电电极相互垂 直的寻址电极，寻址电极上覆盖一层介质层，介质层上配置有与其寻址电极平行的条状障壁， 且在条状障壁的底部覆盖有荧光粉层，前后基板用低熔点玻璃粉封接在一起，并且在其间充 有放电气体。

交流气体放电等离子显示屏随着分辨率逐渐升高，功耗不断增大，其原因之一是发光单 元变小，寻址电极变窄，这样，不可避免地增大了寻址电压，从而降低了发光效率。

发明内容

本发明旨在提供一种等离子显示屏、等离子显示屏的后基板组件及其制作工艺，以解决 现有技术中功耗较大的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种等离子显示屏的后基板组件， 包括：后基板；纵向障壁和与纵向障壁相垂直设置的横向障壁，纵向障壁和横向障壁均设置 在后基板上，纵向障壁和横向障壁围成放电空间；寻址电极，从横向障壁中穿过，并穿过放 电空间，寻址电极与后基板之间具有距离。

进一步地，寻址电极呈弯折形，包括：第一寻址电极，位于每个放电空间内，与纵向障 壁平行设置；第二寻址电极，位于每个放电空间内，从第一寻址电极的两端分别沿横向障壁 向上延伸；第三寻址电极，连接相邻的两个放电空间内的相邻的第二寻址电极。

进一步地，横向障壁包括位于第三寻址电极下方的第一横向障壁和位于第三寻址电极上 方的第二横向障壁。

进一步地，第一横向障壁的高度与第二横向障壁的高度的比值范围为0.25至0.82。

根据本发明的另一方面，提供了一种等离子显示屏，具有后基板组件，后基板组件为上 述的后基板组件。

根据本发明的另一方面，提供了一种等离子显示屏的后基板组件的制作工艺，用于制作 上述的后基板组件，包括以下步骤：在后基板上制作纵向障壁和横向障壁，使纵向障壁和横 向障壁围成放电空间；制作寻址电极，使寻址电极穿过横向障壁及放电空间，并使寻址电极 与后基板之间具有距离。

进一步地，在制作横向障壁和寻址电极的步骤中进一步包括：在后基板上制作第一横向 障壁；制作电极，使得电极位于第一横向障壁的上方；制作介质；在第一横向障壁上方制作 第二横向障壁。

进一步地，制作第一横向障壁和第二横向障壁使用喷砂法或刻蚀法。

进一步地，制作电极使用印刷法或显影法。

进一步地，在制作介质的步骤之前还包括干燥和烧结步骤。

在本发明的技术方案中，等离子显示屏的后基板组件包括：后基板、纵向障壁、横向障 壁和寻址电极。其中，纵向障壁和与纵向障壁相垂直的设置在后基板上，纵向障壁和横向障 壁围成放电空间，寻址电极从横向障壁中穿过，并穿过放电空间，寻址电极与后基板之间具 有距离。本发明的后基板组件中寻址电极从横向障壁中穿过且与后基板之间具有距离，这样， 有效缩短了寻址电极和扫描电极之间的距离，因此，可以减小寻址电压，从而提高发光率。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实 施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的等离子显示屏的后基板组件的实施例一的结构示意图；

图2示出了根据本发明的等离子显示屏的后基板组件的实施例二的结构示意图；以及

图3示出了根据本发明的等离子显示屏的后基板组件的制作工艺的实施例的流程示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。 下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。