[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种异质结型太阳能电池，其特征在于，将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a₁大的电子亲和力a₂的半导体B结合，同时对所述半导体A和所述半导体B各在1％以内进行晶格匹配。

2.根据权利要求1所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述半导体A是IV族系半导体，所述半导体B是III-V化合物半导体。

3.根据权利要求1所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述半导体A是p型间接迁移型半导体，所述半导体B是n型直接迁移型半导体。

4.根据权利要求1所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述半导体A是p型锗，所述半导体B是n型InGaP。

5.根据权利要求4所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述In和所述Ga的组成比分别是49％和51％。

6.根据权利要求4所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述p型锗的空穴载流子浓度控制为10¹⁸cm^-3。

7.根据权利要求1所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述半导体A是p型硅，所述半导体B是以n型GaP为主要成份的混晶。

8.根据权利要求7所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，在所述GaP中的氮掺杂量是0.2％，晶格匹配在0.1％以内，在GaP和Si之间分别获得晶格匹配。

9.根据权利要求1所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述半导体A是p型，并且是硅和锗的混晶，所述半导体B是n型化合物半导体的混晶。

10.根据权利要求1所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述半导体A形成p型碳化硅，并在其表面上设置n型AlN。

11.根据权利要求1所述的异质结型太阳能电池，其特征在于，所述半导体A是p型硅，并在其表面上形成p型锗层，通过去除该锗层而去除氧化膜之后，形成n型GaP。

12.一种异质结型太阳能电池的制造方法，该异质结型太阳能电池中将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a₁大的电子亲和力a₂的半导体B结合，同时对所述半导体A和所述半导体B各在1％以内进行晶格匹配；该方法的特征在于，所述半导体A是p型硅，并在其表面上形成p型锗层，通过去除该锗层而去除氧化膜之后，形成n型GaP。

13.根据权利要求12所述的异质结型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述半导体A是p型硅，所述半导体B是以n型GaP为主要成份的混晶。

14.根据权利要求13所述的异质结型太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述GaP中的氮掺杂量是0.2％，晶格匹配在0.1％以内，在GaP和Si之间分别获得晶格匹配。

15.根据权利要求12所述的异质结型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述半导体A形成p型碳化硅，并在其表面上设置n型AlN。

16.根据权利要求12所述的异质结型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述半导体A是p型硅，并在其表面上形成p型锗层，通过去除该锗层而去除氧化膜之后，形成n型GaP。