[发明专利]固态摄像器件、其驱动方法和电子装置

权利要求书

1.一种固态摄像器件，其包括：

半导体基板，其包括光接收表面，所述光接收表面根据布置成矩阵形状的像素进行划分，并是由光电转换部形成；

电致变色膜，在选自所述像素的一部分像素中，所述电致变色膜在所述半导体基板上形成为位于所述光电转换部对应的光入射路径上，所述电致变色膜的光透射率根据施加到所述电致变色膜的电压从第一透射率变为第二透射率；

下电极，其形成在所述电致变色膜下方；和

上电极，其形成在所述电致变色膜上方。

2.如权利要求1所述的固态摄像器件，其中，根据施加到所述电致变色膜的所述电压将所述电致变色膜的所述光透射率从所述第一透射率变为所述第二透射率所需的时间少于一秒。

3.如权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，

所述固态摄像器件还包括滤色器，在形成有所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中每个像素且传输红色、绿色和蓝色波长区域的光的区域中，所述滤色器在所述半导体基板上形成为位于所述光电转换部对应的光入射路径上。

4.如权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述电致变色膜是堆叠体，所述堆叠体包括电致变色材料层、固体电解质层和离子存储层。

5.如权利要求1所述的固态摄像器件，其中，在除形成有所述电致变色膜的所述一部分像素之外的其余像素中形成平坦化膜，所述平坦化膜缓和由所述电致变色膜的厚度引起的台阶。

6.如权利要求1所述的固态摄像器件，其还包括光致变色膜，所述光致变色膜在所述下电极和所述上电极之间形成为与所述电致变色膜堆叠，所述光致变色膜的光透射率根据入射光的量从第三透射率变为第四透射率。

7.如权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述上电极和所述下电极是由ITO或包括石墨烯或碳纳米管的纳米碳材料制成。

8.一种固态摄像器件，其包括：

半导体基板，其包括光接收表面，所述光接收表面根据布置成矩阵形状的像素进行划分，并是由光电转换部形成；

电致变色膜，在至少一部分所述像素中，所述电致变色膜在所述半导体基板上形成为位于所述光电转换部对应的光入射路径上，所述电致变色膜的光透射率根据施加到所述电致变色膜的电压从第一透射率变为第二透射率；

下电极，其形成在所述电致变色膜下方；

上电极，其形成在所述电致变色膜上方；和

电压施加部，其检测所述光电转换部中所累积的电荷量，并根据所述电荷量向所述电致变色膜施加所述电压。

9.如权利要求8所述的固态摄像器件，其中，根据施加到所述电致变色膜的所述电压将所述电致变色膜的所述光透射率从所述第一透射率变为所述第二透射率所需的时间少于一秒。

10.如权利要求8所述的固态摄像器件，其中，所述像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，

所述固态摄像器件还包括滤色器，在形成有所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素中每个像素且传输红色、绿色和蓝色波长区域的光的区域中，所述滤色器在所述半导体基板上形成为位于所述光电转换部对应的光入射路径上。

11.如权利要求8所述的固态摄像器件，其中，所述电致变色膜是堆叠体，所述堆叠体包括电致变色材料层、固体电解质层和离子存储层。

12.如权利要求8所述的固态摄像器件，其中，所述电压施加部根据包括多个所述像素的各行像素中的所述电荷量，向所述电致变色膜施加所述电压。

13.如权利要求8所述的固态摄像器件，其中，所述电压施加部根据各个像素中的所述电荷量，向所述电致变色膜施加所述电压。

14.如权利要求8所述的固态摄像器件，其中，所述电压施加部连接到电压保持部，所述电压保持部保持施加到所述电致变色膜的所述电压。

15.如权利要求8所述的固态摄像器件，其还包括光致变色膜，所述光致变色膜在所述下电极和所述上电极之间形成为与所述电致变色膜堆叠，所述光致变色膜的光透射率根据入射光的量从第三透射率变为第四透射率。

16.如权利要求8所述的固态摄像器件，其中，所述上电极和所述下电极是由ITO或包括石墨烯或碳纳米管的纳米碳材料制成。