[发明专利]用于气体输送系统的减少微粒处理

说明书

技术领域

本发明的实施例大致关于半导体处理装置。

背景技术

随着半导体组件的临界尺寸持续变小，因此无可妥协地需要改善半导体处理腔室中的处理环境的清洁。上述污染某部分源自腔室部件。例如，污染可源自气体输送部件(例如，喷头)。明确地说，制造方法(例如，超音波钻孔以在喷头中形成孔)会导致孔壁上形成微粒物质。某些实例中，可通过例如热氧化处理与热氧化后通过射频(RF)调整喷头来至少部分地移除微粒物质。然而，为了满意地减少微粒，喷头在用于半导体处理腔室中前常需要超过100小时的RF调整。

因此，技术中需要改良的制造半导体处理腔室部件的方法。

发明内容

本文提供减少气体输送系统中的微粒的方法与设备。某些实施例中，制造半导体处理腔室所用的气体分配设备(诸如，气体分配板或喷嘴)的方法包括提供具有适以让气体流过其中的一或多个孔的气体分配设备。浆料流过一或多个孔以从多个孔的侧壁移除损坏表面。某些实施例中，可在将浆料流过一或多个孔之前或之后氧化气体分配设备。某些实施例中，可通过提供RF功率至气体分配板达所欲时间周期来调整气体分配设备。

附图说明

所以，上述简介的本发明的特征可参考对本发明更具体描述的实施例进一步理解和叙述，部分实施例示出于附图中。然而要指出的是，附图仅说明本发明的典型实施例，因此不应被视为其范围的限制，本发明亦适用于其它具有同等功效的实施例。

图1描绘根据本发明某些实施例的具有气体分配系统的处理腔室。

图2描绘根据本发明某些实施例的制造气体分配板的方法流程图。

图3描绘根据本发明某些实施例的气体分配板的示意、部分俯视图。

图4A-C分别描绘根据本发明某些实施例的制造过程中气体分配板的示意剖面侧视图。

为了便于理解，已经在可能的情况下，使用相同的组件符号指示各图中相同的组件。为清晰起见已简化且未按比例绘制附图。意即，一实施例揭露的组件与/或处理步骤可有利地用于其它实施例而不需特别详述。

具体实施方式

本文提供减少气体输送系统中的微粒的方法与设备。某些实施例中，本文提供用于气体输送系统的气体分配设备(诸如，气体分配板或喷嘴)以及其制造方法。本发明的气体分配设备有利地在处理过程中提供低水平的微粒产生。本发明的制造方法可有利地改善制造时间并改善半导体处理腔室中的处理环境。本发明的方法可有利地减少或排除额外制造步骤(诸如，气体分配板的氧化或射频(RF)时效)的需求。某些实施例中，可排除RF调整或减少至低于或等于约5小时。

根据本发明实施例的包括气体分配板或一或多个喷嘴的气体输送系统可并入任何适当的半导体处理系统。例如，图1示意性地描绘根据本发明某些实施例的并有气体输送系统104的示范性双频电容性等离子体源反应器102的示意图。上述反应器可例如用来执行蚀刻处理(可用来形成双重镶嵌结构)。双频电容性等离子体源反应器可包含于例如可从Applied Materials，Inc.(Santa Clara，California)购买的CENTURA半导体晶圆处理系统的处理系统中。反应器可适以处理300mm晶圆，可运作于广泛范围的处理参数与蚀刻剂化学作用下，可应用终点侦测系统，并具有原位自我清洁能力。一实施例中，反应器利用160MHz等离子体源来产生高密度等离子体、13.56MHz晶圆偏压源以及等离子体磁化螺线管，以致反应器提供离子能量、等离子体密度与均匀性以及晶圆温度的独立控制。适当双频电容性等离子体源反应器的详细描述提供于2002年7月9日申请的美国专利申请案10/192,271，其共同属于Applied Materials，Inc.，且在此将其全文并入作为参考资料。

双频电容性等离子体源反应器102是示范性的，而本文所述的气体输送系统104可配置于任何适当的处理腔室，诸如设置用于蚀刻、化学气相沉积(CVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、热处理、或需要气体分配板的任何其它适当处理的腔室。示范性处理腔室可包括可从Applied Materials，Inc.(Santa Clara，California)取得的DPSENABLERADVANTEDGETM或其它处理腔室。其它适当腔室包括需要减少来自气体分配板的微粒物质的任何腔室。