[发明专利]镀覆装置有效
| 申请号： | 201010144713.7 | 申请日： | 2004-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101812711A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 栗山文夫;竹村隆;斋藤信利;木村诚章;黄海冷 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/00;C25D21/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王琼先;王永建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀覆 装置 | ||
【说明书】：
本申请是申请日为2004年3月9日、申请号为200810166115.2、发明 名称为“镀覆装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于镀覆衬底等的表面(待镀覆的表面)的镀覆装置，尤 其涉及这样的镀覆装置，该镀覆装置用于根据镀覆技术在LSI电路等的衬 底上形成金属膜和互连，在半导体晶片等的表面中限定的细互连凹槽(沟 槽)，通孔，或者保护层开口中形成镀膜，和在半导体晶片的表面上形成突 出部(突出电极)以电连接到封装等的电极。
背景技术
近年来，已经在使用一种方法，该方法根据镀覆技术通过在硅晶片或 其它衬底上形成金属膜而在半导体电路中形成互连或突出部。
例如在TAB(卷带式自动接合)或FC(倒装晶片法)中，已经广泛使 用的方法是在具有形成于其中的互连的半导体芯片表面的预定部分(电极) 处形成金、铜、焊锡、无铅焊锡或镍的突出连接电极(突出部)或这些金 属的多层薄板，和通过所述突出部电连接所述互连和封装的电极或TAB电 极。形成突出部的方法包括各种方法，例如电镀法、汽相淀积法、印刷法、 和植球凸点法(ball bumping)。随着近来半导体芯片中I/O端口数量的增加 和朝着更细小间距发展的趋势，电镀被更频繁地使用，原因在于它能够应 付更细小的处理和具有较稳定的性能。
尤其是，由电镀产生的金属膜的优点在于它们具有高纯度，能够高速 地增长，并且它们的厚度容易控制。另一方面，无电镀的优点在于形成互 连或突出部所需步骤的数量可以较小，原因在于不需要用于在诸如衬底等 这样的待镀覆的工件上通过电流的种子层。由于严格要求在半导体衬底上 形成的薄膜具有一致的厚度，因此在上述的镀覆过程中采取了很多尝试以 满足这样的要求。
图27显示了传统的无电镀装置的一个例子，该装置利用所谓的倒装 (face-down)法。该无电镀装置具有用于在其中保持镀液(无电镀液)10 的向上开口的镀槽12，和可垂直运动的衬底支座14，该支座用于可拆卸地 保持作为工件的衬底W，该衬底将在这样的状态下被镀覆使得衬底W的前 表面(待镀的表面)朝下(倒装)。溢出槽16设在镀槽12的上部周围，镀 液排放管18连接到溢出槽16。此外，镀液补给喷嘴22设在镀槽12的底部 并且连接到镀液补给管20。
在操作中，由衬底支座14水平保持的衬底W位于一个位置，例如接 近镀槽12的上端的开口处。在该状态下，镀液10从镀液补给喷嘴22供应 到镀液槽12中并且允许溢出镀槽12的上部，由此镀液10沿着由衬底支座 14保持的衬底W的表面流动，并且通过镀液排放管18返回到循环槽(未 示出)。因此，通过使镀液与衬底W的预处理表面接触，金属淀积在衬底 W的表面上从而形成金属膜。
根据该镀覆装置，通过调节从镀液补给喷嘴22补给的镀液10的补给 速度，和旋转衬底支座14等，形成于衬底W表面上的金属膜的厚度的一 致性可以进行某种程度的调节。
图28显示了传统的电镀装置的一个例子，该装置利用所谓的浸渍法。 该电镀装置具有用于在其中保持镀液(电镀液)的镀槽12a，和可垂直运动 的衬底支座14a，该支座可拆卸地保持衬底W使得前表面(待镀的表面) 被暴露而衬底W的周围部分被防水密封。阳极24由阳极支座26保持并且 垂直地布置在镀槽12a中。此外，当由衬底支座14a保持的衬底W布置在 面对阳极24的位置时，具有中心孔28a、由介电材料制造的调整板28布置 在镀槽12a中，从而定位在阳极24和衬底W之间。
在操作中，阳极24，衬底W，和调整板28浸在镀槽12a的镀液中。 同时，阳极24通过导体30a连接到镀电源32的阳极，衬底W通过导体30b 连接到镀电源32的阴极。因此，由于衬底W和阳极24之间的电势差，镀 液中的金属离子从衬底W的表面接收电子，从而金属淀积在衬底W的表 面上，从而形成金属膜。
根据该镀覆装置，通过把具有中心孔28a的调整板28布置在阳极24 和在面对阳极24处布置的衬底W之间，和用该调整板28调节镀槽12a上 的电势分布，形成于衬底W表面上的金属膜的厚度分布可以进行某种程度 的调节。
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- 本发明涉及自动化设备技术领域，具体是IC引线框架片式电镀镀银机。IC引线框架片式电镀镀银机，包括底台D，所述底台D中部表面设有排药缸，排药缸底部设有排水口，排药缸内设有模板槽胆，模板槽胆内设有喷镀结构，喷镀结构包括喷头，排药缸前部和后部设有输送结构，底台D上设有支架D，支架D上设有滑台C，滑台C下方连接有可活动的机械手A和机械手B，机械手B包括可上下升降的模板压头，模板压头和模板槽胆与整流器连接，喷头与上水泵连接，电机、机械手A、机械手B、整流器、上水泵与控制系统连接。本发明的有益之处：镀银精度高，镀银效果好；模板槽胆面积增大，可以加工宽度大的产品；排药缸的体积扩大，生产效率提高。
- 一种晶圆电镀装置及电镀方法-201710208319.7
- 刘永进;赵宁;侯为萍;陶利权;王宏智 - 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
- 2017-03-31 - 2019-01-25 - C25D7/12
- 本发明公开了一种晶圆电镀装置，包括电镀容器、晶圆、阳极、电镀电源、隔膜及下拉元件；该隔膜置于该电镀容器内，该下拉元件拉紧该隔膜，使该隔膜呈下凹状；该隔膜的上方盛装上层电镀液，该隔膜的下方盛装下层电镀液；该晶圆浸没于该上层电镀液中，该阳极浸没于该下层电镀液中；其中，该上层电镀液的电导率大于该下层电镀液的电导率。本发明的晶圆电镀装置通过隔膜将电解液分为电导率不同的上层电镀液及下层电镀液，使得晶圆表面边缘区域与阳极之间的外侧传输电阻大于晶圆表面中心区域与阳极之间的内侧传输电阻，并通过旋转电机带动晶圆旋转，从而实现了晶圆电镀表面电场的均匀分布；具有操作简单、均匀性好、电镀效率高等特点。
- 一种智能型无污染半导体电镀机-201710529222.6
- 黄涛;袁泉;孙健;张慧;朱威莉;韩伟 - 江苏纳沛斯半导体有限公司
- 2017-07-01 - 2019-01-15 - C25D7/12
- 本发明公开了一种智能型无污染半导体电镀机，包括底座箱，所述底座箱的一侧安装KS02Y控制器，且底座箱的内部安装有输送泵，所述输送泵的一端安装有取料管，且输送泵的另一端安装有输送管，所述取料管上设置有第二电磁阀,所述输送管远离输送泵的一端安装有第一电磁阀和分流管，所述第一电磁阀位于分流管的下方，所述底座箱的上安装有鼓风机、电镀原料箱和电镀箱，所述电镀原料箱位于电镀箱的一侧，所述电镀原料箱和电镀箱均位于鼓风机的一侧，所述鼓风机与电镀箱通过气体收集管连接，本发明设置了鼓风机和过滤网，能抽离并过滤电镀箱内电镀半导体晶圆凸块时所产生的危害气体，确保工作人员不会因产生的危害气体危及身体健康。
- 一种晶圆电镀装置及电镀方法-201710208317.8
- 刘永进;陈隽;张文斌;李元升;蒲继祖 - 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
- 2017-03-31 - 2019-01-01 - C25D7/12
- 本发明公开了一种晶圆电镀装置，包括盛装有电镀液的电镀容器，晶圆、阳极及电镀电源；该晶圆与该阳极浸没于该电镀液中；该晶圆通过该电镀电源与该阳极电连接，使得该晶圆与该阳极之间形成电镀电场；其中，该电镀电场的中心区域内设有与该晶圆同心的内侧第一环形障碍物及内侧第二环形障碍物。本发明通过通过在晶圆与阳极之间分别设置内侧第一环形障碍物及内侧第二环形障碍物来改变电镀过程中晶圆表面中心区域与阳极之间的内侧传输电阻的阻值，并通过旋转电机带动晶圆旋转，从而实现了晶圆电镀表面电场的均匀分布，解决了晶圆表面电场分布不均而导致电镀镀膜均匀性的问题，具有操作简单、均匀性好、电镀效率高等特点。
- 电镀装置-201721923761.X
- 王振荣;黄利松;刘红兵 - 上海新阳半导体材料股份有限公司
- 2017-12-29 - 2018-11-23 - C25D7/12
- 本实用新型公开了一种电镀装置，其特征在于，包括：槽体、电镀用屏蔽装置、电镀阳极和电镀阴极，其中，槽体内部设有容腔，容腔内容纳有电镀液，电镀阳极和电镀阴极设置于容腔内，阳极屏蔽板设置于电镀阳极和阴极屏蔽板之间，阴极屏蔽板设置于电镀阴极和阳极屏蔽板之间。
- 镀覆方法和镀覆装置-201810296363.2
- 藤方淳平;下山正;宫本龙;石本健太郎 - 株式会社荏原制作所
- 2018-03-30 - 2018-10-23 - C25D7/12
- 本发明提供镀覆方法和镀覆装置，抑制由于在抗蚀剂开口部中存在的气泡和抗蚀剂残渣所引起的镀覆不良的产生。提供对具有抗蚀剂开口部的基板进行镀覆的镀覆方法。该镀覆方法具有如下的工序：抗蚀剂残渣去除工序，对基板的形成有抗蚀剂开口部的面喷射第一处理液而去除基板的抗蚀剂开口内的抗蚀剂残渣；填充工序，使经过了去除工序的基板浸渍在第二处理液中而在基板的抗蚀剂开口部内填充第二处理液；以及镀覆工序，对经过了液体填充工序的基板进行镀覆。
- 用于定制的均匀性分布的电镀设备-201510556374.6
- 史蒂文·T·迈尔;戴维·W·波特;布赖恩·L·巴卡柳;罗伯特·拉什 - 诺发系统有限公司
- 2012-04-05 - 2018-09-28 - C25D7/12
- 本申请案涉及用于定制的均匀性分布的电镀设备。在衬底上电镀金属同时控制方位均匀性的方法在一个方面中包含：将所述衬底提供到经配置以用于在电镀期间旋转所述衬底的电镀设备中；以及在相对于屏蔽件旋转所述衬底的同时在所述衬底上电镀所述金属，使得所述衬底的在选定方位位置处的选定部分停留在经屏蔽区域中历时与所述衬底的第二部分不同的时间量，与所述选定部分相比，所述第二部分具有相同的大小和相同的径向位置且驻留在不同的方位位置处。举例来说，在电镀期间，当所述衬底的所述选定部分经过所述经屏蔽区域时，可较慢或较快地旋转半导体晶片衬底。
- 一种晶圆电镀治具-201820066531.4
- 黄雷 - 昆山成功环保科技有限公司
- 2018-01-16 - 2018-09-04 - C25D7/12
- 本实用新型涉及了一种晶圆电镀治具，其包括：治具本体，其上设置有凹槽；在该凹槽的底部设置有弹性导电环，用于承载晶圆的下表面；还包括盖板，其上设置有弹性垫环；当盖板对晶圆上表面进行压紧时形成一腔体；在盖板上设置有开口，以使得电镀液流入腔体。在弹性垫环的作用下，晶圆的下表面与弹性导电环紧靠在一起，导电方式为面接触，因此，大大提高了电流在晶圆上分布的均匀性及电流密度，再者，晶圆与弹性导电环之间存在一定压力，即使电镀液发生震荡也不会导致发生接触不良现象，另外，晶圆在弹性导电环的紧压作用下，使得电镀液与晶圆的下表面隔绝，避免晶圆在电镀工序中发生药水交叉侵蚀现象，从而提高了其电镀质量。
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