[发明专利]光敏性组合物

权利要求书

1.对曝光辐射敏感的光敏性组合物，其包含：

a)有机聚合物，b)结构(1)的光碱产生剂，和c)任选地，光酸产生剂(⁺A₁^-O₂C)-B-(CO₂^-A₂⁺)_X    (1)

其中A₁⁺和A₂⁺独立地是阳离子，x是大于或等于1，B是非氟化有机结构部分。

2.权利要求1的组合物，其中所述阳离子选自碘锍和铵阳离子。

3.权利要求1或2的组合物，其中所述光碱产生剂具有大约-3至5的pKa。

4.权利要求1-3中任一项的组合物，其中在所述光碱产生剂中，x是1-3。

5.权利要求1-4中任一项的组合物，其中A₁⁺和A₂⁺包含至少一个芳族基。

6.权利要求1-5中任一项的组合物，其中B不含-SO₃结构部分。

7.权利要求1-6中任一项的组合物，其中所述光碱产生剂中的B选自是芳族、脂族、杂芳族、杂脂族结构部分和它们的混合物的结构部分。

8.根据权利要求1-7中任一项的组合物，其中所述光酸产生剂产生强酸。

9.权利要求1-8中任一项的组合物，其中所述聚合物是碱不溶性的并包含酸不稳定基团。

10.根据权利要求1-8中任一项的组合物，其中所述聚合物是碱溶性的。

11.权利要求10的组合物，其中所述光致抗蚀剂还包含溶解抑制剂。

12.权利要求1-11中任一项的组合物，其中所述聚合物还包含发色团。

13.权利要求12的组合物，还包含交联剂。

14.权利要求13的组合物，还包含热酸产生剂。

15.权利要求1-14中任一项的组合物作为光致抗蚀剂组合物和/或碱可显影抗反射底层涂料组合物的用途。

16.微电子器件的制造方法，包括：

a)用权利要求1-14中任一项的组合物的层涂覆基材，

f)用曝光辐射将所述层成像式曝光；

g)任选地，将所述光致抗蚀剂层曝光后烘焙，

d)用含水碱性显影剂将所述光致抗蚀剂层显影。

17.权利要求16的方法，其中所述曝光辐射在大约13nm-大约300nm的范围内。

18.权利要求16或17的方法，其中所述显影剂包括氢氧化四甲基铵。

19.微电子器件的制造方法，包括：

a)用权利要求1-14中任一项的组合物的层涂覆基材以形成底层，

b)在所述底层上涂覆光致抗蚀剂的层；

c)用曝光辐射将所述一个或多个层成像式曝光；

h)任选地，将所述一个或多个层曝光后烘焙，

d)用含水碱性显影剂将所述一个或多个层显影。

20.权利要求19的方法，其中所述底层和所述光致抗蚀剂层在同一个步骤中显影。