[发明专利]基于功率的存储器访问

说明书

技术领域

本发明一般涉及存储器访问，具体涉及基于功率的存储器访 问。

背景技术

非接触式集成电路(IC)卡，也就是所谓的芯片卡或智能卡， 是以读和/或写询问装置(一般称为读卡器)基于射频(RF)或电 磁场通信来工作的。

在非接触式IC卡应用中，读卡器通常发射载波频率为13.56 MHz的RF载波。发射的载波一方面用来按照现有通信协议建立卡 与读卡器之间的通信，另一方面用来激励非接触式卡，该卡通过感 应方式获得工作所需的能量。

要求有激励非接触式IC卡工作的最小发射场强。该最小发射 场强受非接触式IC卡内存特性的显著影响。这些特性包括读/写访 问期间的平均电流和读/写访问期间的峰值电流。虽然这些特性只是 多数存储器的一些方面，但由于需要高电流来产生编程电压，因此 它们是非易失性存储器(NVM)最关键的方面。

为了减小非接触式IC卡的功耗，并因此减小激励卡所需的最 小发射场强，需要减小卡存储器的读/写访问期间消耗的电流。减小 该电流的一种方式是减小存储器访问的速度。然而，减小访问速度 会导致编程时间更长的不期望结果。

减小该电流的另一种方式是减小并行访问的位数。换句话说， 不是同时对所有位编程，而是将编程划分为序列步骤。然而，要访 问的位数是静态的，所以必须在设计存储器阶段进行确定。

发明内容

本发明提供一种通过确定可用功率且并行访问存储器中一定 数量的位来访问存储器的设备和方法，其中，并行访问的位的数量 至少部分基于可用功率(available power)。

附图说明

图1是方框图，其示出根据本发明实施例的访问存储器的设备。

图2A是流程图，其示出根据本发明实施例的访问存储器的方 法。

图2B是流程图，其示出根据本发明实施例的访问存储器的方 法。

图2C是流程图，其示出根据本发明实施例的访问存储器的方 法。

图3是流程图，其示出根据本发明实施例的控制访问存储器的 方法。

具体实施方式

本发明旨在提出基于可用场强动态调整要并行访问的存储器 位数的设备和方法。这在非易失性存储器(NVM)执行写/擦访问 期间特别重要。

图1是方框图，其示出作为可用功率的函数来访问存储器的设 备100。该设备100可以是例如接触式IC卡或装置、非接触式IC 卡或装置、太阳能装置、或任何其他具有不稳定功率环境的设备。

设备100包括测量电路110、访问控制电路120、存储器130、 读/写电路140、和数据缓存器150。测量电路110确定设备100的 可用功率。在非接触式IC的情形中，该功率是RF场，而在太阳能 供电装置的情形中，该功率是太阳能功率。访问控制电路120使用 该确定的可用功率来动态确定可并行访问的最大存储单元数量。然 后访问控制电路120使用该确定的存储单元数量来控制R/W(读/ 写)电路140对存储器130执行读/写访问操作。同样由访问控制电 路120控制的数据缓存器150存储从读/写电路140接收的数据或要 提供给读/写电路140的数据。

存储器130可以是例如随机访问存储器(RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性存储器(NVM)、或任何其他已知类型的存储 器。

可以多种方式确定基于可用功率并行访问的存储器单元数量， 下面将参考图2A-2C来描述这些实例。

图2A是流程图210，其示出根据本发明实施例的基于用专用 测量电路所测量的可用功率来访问存储器的方法。

专用测量电路110测量设备100可用的功率量(步骤212)。在 非接触式IC卡的情形中，该功率是RF场强，而在太阳能供电的装 置情形中，该功率是太阳能功率(solar power)。具体类型的测量电 路110是适于待测量功率类型的任何测量电路。例如，在接触式应 用的情形中，可直接用安培表测量可用功率。

然后，由访问控制电路120确定存储器访问所需的功率量(步 骤214)。存储器开发人员在开发时根据并行访问的存储器位数就知 道存储器要消耗多少功率。该信息可存储在访问控制电路120或某 些其他存储器中。