[发明专利]一种用于GaAs晶片的粗抛光溶液和粗抛光方法

权利要求书

1.一种用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液，除水以外，包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。

2.权利要求1的机械化学粗抛光溶液，除水以外，按重量百分比计，包括二氯代异氰尿酸盐8.0-22.0％、磺酸盐0.01-0.30％、焦磷酸盐4.5-16.0％、碳酸氢盐3.0-13.0％和硅溶胶55.0-72.0％，各组分含量总和为100％。

3.权利要求2的机械化学粗抛光溶液，除水之外，按重量百分比计，包括二氯代异氰尿酸盐10.0-20.0％、磺酸盐0.05-0.30％、焦磷酸盐8.0-15.0％、碳酸氢盐4.5-11.0％和硅溶胶56.0-69.0％。

4.权利要求3的机械化学粗抛光溶液，除水之外，按重量百分比计，包括二氯代异氰尿酸盐12.0-18.0％、磺酸盐0.08-0.50％、焦磷酸盐9.0-13.0％、碳酸氢盐8.0-10.0％和硅溶胶58.0-68.0％。

5.权利要求1的机械化学粗抛光溶液，按溶液总量计，机械化学粗抛光溶液中二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶重量百分比总和不高于3.0％。

6.权利要求1～5之一的机械化学粗抛光溶液，其中二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐和碳酸氢盐为它们各自的水溶性碱金属盐或铵盐之一。

7.权利要求6的机械化学粗抛光溶液，其中二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐和碳酸氢盐为它们各自的钠盐或铵盐。

8.权利要求7的机械化学粗抛光溶液，其中二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐和碳酸氢盐为它们各自的钠盐。

9.一种用于GaAs晶片的机械化学粗抛光方法，包括在机械化学粗抛光设备中，在权利要求1～8之一的用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液存在下，对GaAs晶片实施机械化学粗抛光。