[实用新型]SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种声表面波滤波器，尤其涉及一种SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器。

背景技术

当具有压电效应的晶体受到机械作用时，将产生与压力成正比的电场的现象；具有压电效应的晶体，在受到电信号的作用时，也会产生弹性形变而发出机械波(声波)，即可把电信号转为声信号。由于这种声波只在晶体表面传播，故称为声表面波。

声表面波滤波器(SAWF)具有体积小、重量轻、性能可靠、不需要复杂调整的优点，是无线通信中信号接收处理的关键器件。

现有技术中的声表面波器件至少存在以下缺点：滤波器的插损大。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种滤波器的插损低的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

本实用新型的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，包括基片，所述基片上设有双模纵向耦合滤波器，所述双模纵向耦合滤波器连接有梯形滤波器。

由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，由于基片上设有双模纵向耦合滤波器，双模纵向耦合滤波器连接有梯形滤波器。可以减小损耗，使整个滤波器的插损降低。

附图说明

图1为本实用新型SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器的结构原理图；

图2为本实用新型SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器的封装结构示意图。

具体实施方式

本实用新型的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其较佳的具体实施方式如图1所示，包括基片8，基片8上设有双模纵向耦合滤波器DMS，双模纵向耦合滤波器连接有梯形滤波器11。两者结合，取得双方优点，可以获得低损耗，远端、近端带外抑制都好。

双模纵向耦合滤波器包括上换能器9、下换能器10，上换能器9和下换能器10可以上、下布置且相互耦合，上换能器和下换能器可以分别为谐振式单元，带宽窄、损耗低。

基片8可以为钽酸锂基片，即基片8用钽酸锂为材料制作，可以用36°钽酸锂(36°LT)为材料，其温度系数为28ppm/℃，根据需要也可以选用其它的材料。

如图2所示，本实用新型包括封装结构，封装结构设有输入引脚3和输出引脚4，还可以设有多个接地引脚1、2。

参见图1，输入引脚3和输出引脚4可以分别与双模纵向耦合滤波器和梯形滤波器11连接；也可以互换，输入引脚3和输出引脚4分别与梯形滤波器11和双模纵向耦合滤波器连接。上换能器9和下换能器10分别与至少一个接地引脚连接。

本实用新型的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，可以为中心频率为225MHz的滤波器；也可以为-1dB带宽为1.6～1.8MHz的滤波器；也可以为-40dB带宽为5.8～6.0MHz的滤波器。窄带、远端、近端带外抑制都好，高矩形度、低插损，可以用于无线通信。

一个具体实施例的电气参数，如表1所示：

表1、具体实施例的电气参数

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。