[实用新型]SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器有效
| 申请号： | 200820233766.4 | 申请日： | 2008-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN201312291Y | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 张敬钧 | 申请（专利权）人： | 北京中讯四方科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sf225m2 矩形 度低插损声 表面波 滤波器 | ||
1、一种SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，包括基片，其特征在于，所述基片上设有双模纵向耦合滤波器，所述双模纵向耦合滤波器连接有梯形滤波器。
2、根据权利要求1所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，所述双模纵向耦合滤波器包括上换能器、下换能器，所述上换能器和下换能器上、下布置且相互耦合。
3、根据权利要求2所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，所述上换能器和下换能器分别为谐振式单元。
4、根据权利要求1所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，所述基片为钽酸锂基片。
5、根据权利要求4所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，所述钽酸锂为36°钽酸锂。
6、根据权利要求1、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，该滤波器为中心频率为225MHz的滤波器。
7、根据权利要求1、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，该滤波器为-1dB带宽为1.6～1.8MHz的滤波器。
8、根据权利要求1、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，该滤波器为-40dB带宽为5.8～6.0MHz的滤波器。
9、根据权利要求1、2或3所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，包括封装结构，所述封装结构设有输入引脚和输出引脚，所述输入引脚和输出引脚分别与所述双模纵向耦合滤波器和梯形滤波器连接；或者，所述输入引脚和输出引脚分别与所述梯形滤波器和双模纵向耦合滤波器连接。
10、根据权利要求8所述的SF225M2型高矩形度低插损声表面波滤波器，其特征在于，所述封装结构设有多个接地引脚，所述双模纵向耦合滤波器与至少一个接地引脚连接。
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