[发明专利]一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法。

背景技术

半导体发光元件(例如，发光二极体)能广泛地使用于多种装置，例如，光学显示装置、交通号志、通讯装置以及照明装置。

到目前为止，半导体发光元件大部份在蓝宝石基板上磊晶制成。蓝宝石基板通过一蓝宝石晶碇切削制成，而该蓝宝石晶碇通过一拉晶制程形成。然而，该拉晶制程不仅费时且耗费许多成本。因此，若用于半导体发光元件的基板能够通过其他高效(例如一磊晶制程等)的制程形成，将能够克服传统上在制造蓝宝石基板时所存在的问题。

另一方面，如上所述，由于半导体发光元件目前主要在蓝宝石基板上形成，长期下来势必造成蓝宝石基板的材料短缺。因此，若能在制造半导体发光元件的过程中回收蓝宝石基板进行再利用，将可以有效地利用蓝宝石基板及节省成本。

于现有技术中，半导体发光元件可以被一雷射光照射，并且半导体发光元件中的一剥离层可以吸收该雷射光的能量而被分解，由此导致基板与半导体发光元件脱离。然而，此种方法需耗费较大的成本，因此在实际应用上非常不利。

因此，本发明的主要目的在于提供一种制造第一基板及于制造该第一基板的过程中回收第二基板的方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法。

根据本发明的一具体实施例为一种制造第一基板的方法。该方法首先制备第二基板。接着，该方法在第二基板上形成一缓冲层(buffer layer)。之后，该方法在缓冲层上形成一半导体材料层(semiconductor material layer)。该缓冲层辅助该半导体材料层的形成并且作为一剥离层(lift-off layer)。最后，通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该第二基板脱离该半导体材料层，其中该半导体材料层作为该第一基板。

根据本发明的另一具体实施例为一种于制造第一基板的过程中回收第二基板的方法。一缓冲层形成于该第二基板上，一半导体材料层形成于该缓冲层上，该缓冲层辅助该半导体材料层的形成并且作为一剥离层。

该方法以一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该第二基板脱离该半导体材料层并且进一步回收该第二基板，其中该半导体材料层作为该第一基板。

相比现有技术，根据本发明的制造方法能够通过蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该第二基板和该半导体材料层脱离，其中该第二基板可进一步被回收，并且该半导体材料层作为第一基板以进行一半导体光电元件的制造。有利的，该第二基板的回收可以达到节省成本及原料的目的。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图介绍得到进一步的了解。

附图说明

图1A至图1D是显示了根据本发明的一具体实施例的制造第一基板的方法的截面视图。

图2A及图2B显示了根据本发明的另一具体实施例的一种于制造第一基板的过程中回收第二基板的方法。

具体实施方式

请参阅图1A至图1D，图1A至图1D是显示了根据本发明的一具体实施例的制造第一基板的方法的截面视图。

首先，如图1A所示，该制造方法制备第二基板10。在一具体实施例中，该第二基板10可以是一半导体基板，并且该第二基板10为该第一基板的异质基板(即不同材料的基板)。

于实际应用中，该第二基板10可以通过蓝宝石(sapphire)、硅(Si)、SiC、GaN、ZnO、ScAlMgO₄、YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia)、8rCu₂O₂、LiGaO₂、LiAlO₂、GaAs或其他类似基材中的一种材料制成。于此实施例中，该第二基板10可以是一蓝宝石基板10。

接着，如图1B所示，该制造方法在第二基板10上形成一缓冲层12。

于实际应用中，该缓冲层12可以是氧化锌(ZnO)或氧化锌镁(Mg_xZn_1-xO)，其中0＜x≤1。该缓冲层12的厚度可以为10nm至500nm之间。